用于X射线闪烁屏的硅微通道阵列整形技术

• 作者: 余金豪 凌海容 杨炳辰 杨继凯 杨超 王国政 王蓟 端木庆铎 陈奇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: X射线闪烁屏 硅微通道阵列 各向异性腐蚀 整形技术 开口面积比
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 603-609
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.12
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.08.007

摘要

为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液温度和质量分数对硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率的影响.通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系.研究表明,硅(100)晶面和(110)晶面的腐蚀速率比是影响硅微通道阵列开口面积比的主要因素.当硅(100)晶面与(110)晶面腐蚀速率比大于√2时,得到具有高开口面积比的正方形硅微通道阵列.使用质量分数为1％的TMAH溶液在40℃的溶液温度下,制备出开口面积比大于81％的正方形硅微通道阵列.通过高温填充CsI (TI)制备出基于硅微通道的X射线闪烁屏,X射线成像结果表明通道整形技术有助于提高闪烁屏的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王蓟	长春理工大学理学院	22	96	6.0	8.0
2	端木庆铎	长春理工大学理学院	56	241	8.0	12.0
3	王国政	长春理工大学理学院	51	208	8.0	11.0
4	杨继凯	长春理工大学理学院	23	26	3.0	4.0
5	陈奇	长春理工大学理学院	5	6	1.0	2.0
6	杨超	长春理工大学理学院	7	3	1.0	1.0
7	余金豪	长春理工大学理学院	2	1	1.0	1.0
8	杨炳辰	长春理工大学理学院	2	1	1.0	1.0
9	凌海容	长春理工大学理学院	2	3	1.0	1.0