n型晶体硅太阳电池光诱导衰减现象研究

• 作者: 李能能 马继奎
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: n型硅 太阳电池 光诱导衰减 光辐照 退火
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 540-544,549
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.12|TM919.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.07.010

摘要

基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理.使用工业化设备在大面积(156 mm×156 mm)n型单晶硅片上制备太阳电池.利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,对比各阶段太阳电池电性能参数.结果表明,光照时会导致太阳电池表面减反射膜SiN:H/Si界面处积聚大量固定电荷,增大界面态密度,破坏电池表面钝化层结构,导致开路电压和短路电流产生较大衰减,35 kWh/m2光辐照后n型硅太阳电池效率衰减3.6％.在380℃低温退火处理后电池效率基本可恢复到初始状态.内量子效率测试结果表明光辐照后电池短波区域响应减弱,前表面界面效应导致电池效率发生较大衰减.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马继奎		3	3	1.0	1.0
2	李能能	西安航空学院电子工程学院	11	3	1.0	1.0