复合络合剂在阻挡层抛光液中的应用

• 作者: 刘国瑞 刘玉岭 张辉辉 徐奕 曾能源 王聪 王辰伟 马腾达
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) 复合络合剂 去除速率 碟形坑 蚀坑
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 870-875
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.11.008

摘要

分别选用FA/OⅡ型螯合剂和柠檬酸钾(CAK)单独配置及复合配置多层铜布线阻挡层抛光液,对Cu和正硅酸乙酯(TEOS)介质层进行化学机械抛光(CMP),研究复合络合剂对材料去除速率、碟形坑和蚀坑的影响.结果 表明,单独使用FA/OⅡ型螯合剂配置抛光液时,随着螯合剂的增加,Cu去除速率明显增加,而TEOS去除速率趋于减小;单独使用CAK配置抛光液时,随着CAK的增加,Cu去除速率缓慢增加,而TEOS去除速率明显增加;使用FA/OⅡ型 螯合剂和CAK复合配置(质量分数分别为20％和3％)阻挡层抛光液,可以得到较高的Cu和TEOS去除速率,Cu和TEOS去除速率选择比为1∶1.8,碟形坑和蚀坑深度分别从69.8 nm和45.5 nm修正为25.6 nm和16.7 nm,铜表面粗糙度由原来的7.11 nm降至1.27 nm.该阻挡层抛光液稳定时间为72 h,其稳定性满足工业化要求.