1MHz～40GHz超宽带分布式低噪声放大器设计

• 作者: 刘果果 王语晨 闵丹 马晓华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器(LNA) 超宽带 均匀分布式LNA 渐变分布式LNA GaAs PHEMT
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 590-594,622
• 页数: 6页
• 分类号: TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.08.003

摘要

为满足宽带系统中低噪声放大器(LNA)宽带的要求,采用0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了两款1 MHz～40 GHz的超宽带LNA,分别采用均匀分布式放大器结构及渐变分布式放大器结构,电路面积分别为1.8 mm×0.85 mm和1.8 mm×0.8 mm.电磁场仿真结果表明,1 MHz～40 GHz频率范围内,均匀分布式LNA增益为15.3 dB,增益平坦度为2 dB,噪声系数小于5.1 dB;渐变分布式LNA增益为14.16 dB,增益平坦度为1.74 dB,噪声系数小于3.9 dB.渐变分布式LNA较均匀分布式LNA,显著地改善了增益平坦度、噪声性能和群延时特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马晓华	西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国家重点学科实验室	40	140	7.0	8.0
2	刘果果	中国科学院微电子研究所	12	56	4.0	7.0
3	闵丹	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	1	0	0.0	0.0
7	王语晨	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	1	0	0.0	0.0