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摘要:
基于0.13 μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR).通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电路中,使电流镜管的栅源电压保持恒定值来实现在一定频段下的PSRR增强.利用Cadence工具进行了仿真,并进行了流片验证,测试结果表明,该带隙基准电压源具有恒定的1.2V基准电压,在-45~165℃内,基准电压的温度系数为3.95×10-6/℃;PSRR在10 kHz下为74.7 dB,在1 MHz下为42 dB;电路启动时间为1.4 μs.该设计已应用于高精度嵌入式电源管理芯片的低压差线性稳压器中.
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文献信息
篇名 一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 带隙基准电压源 高电源抑制比(PSRR) 低温度系数 曲率补偿 启动时间
年,卷(期) 2019,(12) 所属期刊栏目 半导体集成电路
研究方向 页码范围 905-909
页数 5页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.12.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张彩珍 兰州交通大学电子与信息工程学院 28 85 4.0 8.0
2 王梓淇 兰州交通大学电子与信息工程学院 2 0 0.0 0.0
3 陈昊 兰州交通大学电子与信息工程学院 3 0 0.0 0.0
4 王永功 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准电压源
高电源抑制比(PSRR)
低温度系数
曲率补偿
启动时间
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半导体技术
月刊
1003-353X
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大16开
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18-65
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