清洗工艺对锗外延片表面点状缺陷的影响

• 作者: 何远东 吕菲 王云彪 田原 耿莉 陈亚楠
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗 点状缺陷 粗糙度 表面质量 沾污
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 449-453
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.11|TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.06.009

摘要

锗外延片表面的雾、水印及点状缺陷等会影响太阳电池的性能和成品率,其中点状缺陷出现的比例最高.研究了锗抛光片清洗工艺对外延片表面点状缺陷的影响,获得了无点状缺陷、低粗糙度及高表面质量的锗单晶片.采用厚度为175 μm p型〈100〉锗单面抛光片进行清洗试验,研究了SC-1溶液的不同清洗时间、清洗温度和去离子水冲洗温度对锗抛光片外延后点状缺陷的影响,分析了表面SiO2残留和锗片表面粗糙度对外延片表面点状缺陷的影响.结果 表明点状缺陷主要是由于锗单晶抛光片表面沾污没有彻底清洗干净以及清洗过程中产生新的缺陷造成的.采用氢氟酸溶液浸泡、SC-1溶液低温短时间清洗结合低温去离子水冲洗后的锗抛光片进行外延,用其制备的太阳电池光电转换效率由原来的25％提高到31％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田原	中国电子科技集团公司第四十六研究所	17	24	3.0	4.0
2	吕菲	中国电子科技集团公司第四十六研究所	24	88	6.0	8.0
3	陈亚楠	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	30	3.0	4.0
4	何远东	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	7	1.0	2.0
5	耿莉	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	7	1.0	2.0
6	王云彪	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	49	4.0	5.0