基于ABM器件的SiC MOSFET建模研究

• 作者: 王迪迪 宁平凡 刘婕 张永刚
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: SiC MOSFET ABM器件 阈值电压 导通电阻 数据表
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制|Research & Development
• 页码范围: 584-590
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1855

摘要

针对不同温度下SiC MOSFET模型精度不足的问题,提出一种基于模拟行为模型(ABM)器件建立SiC MOSFET模型的方法.分别对整体模型的沟道电流、导通电阻和栅漏电容部分进行改进,引入了阈值电压和跨导系数的温度调节函数,考虑了温度和栅源电压对导通电阻的影响,提出了无开关栅漏电容,建立了满足连续温度仿真的SiC MOSFET模型.仿真结果表明:基于ABM器件建立的模型能够准确地反映温度对阈值电压、跨导和导通电阻的影响,验证了所建模型的准确性.