半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 于宗光 何耀宇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  1-7
    摘要: 介绍了闪速存储器的发展历史,分析了闪速存储器单元及电路的工作原理,并就"与非"结构闪速存储器进行探讨,最后讨论了在闪速存储器中应用的误差矫正码/电路和深亚微米(0.25μm)闪速存储器技术.
  • 作者: 孙再吉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  8-11
    摘要: 介绍了金刚石器件的发展现状与技术,对金刚石双极器件和金刚石场效应管进行了分析.同时讨论了该领域未来的研究趋向.
  • 作者: 徐晨 沈光地 罗辑 邹德恕 陈建新 高国 魏泽民
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  12-14
    摘要: 介结了射频溅射SiO2的原理与工艺,对制造出的Si/SiGeHBT作了分析.
  • 作者: 王静 邓先灿
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  15-18
    摘要: 分析了GaAsMESFET在自升温效应下的升温幅度,结合器件电学参数随温度变化的特点,对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正.
  • 作者: 吕苗 姚雅红 崔战东 赵彦军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  19-23
    摘要: 介绍了硅-玻璃静电键合的基本原理,阐述了在自建静电键合设备上实现静电键合的过程.结合其在微机械传感器中的应用,讨论了粗糙表面的键合技术.
  • 作者: 敦书波 潘宏菽
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  24-25
    摘要: 介绍了一种全部采用国产管芯、基片、材料研制的硅S波段功率模块.该模块具有带宽性能好、增益高、输出功率大、可靠性高、静态电流低、体积小、重量轻、输入输出为50Ω及采用全芯片组装等特点.
  • 作者: 姚海平 姜国宝 汤庭鳌 洪晓菁 钟琪 黄维宁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  26-29
    摘要: 给出了一种在CMOS电路基础上制备集成铁电电容的方法.
  • 作者: 刘晓霞 杨景元
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  30-31
    摘要: 介绍了管座电镀溶液配方及出现技术问题的预防措施和解决方法.
  • 作者: 何笑明 冯信华 尹盛 王敬义 赵宁 陈丽
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  32-35
    摘要: 应用反应动力学方法建立基元反应速率方程并按工艺条件进行耦合,得出了以宏观工艺参数表达的提纯速率方程.这种方程便于计算,能指导工艺优化并容易为工程师应用.计算结果与实验数据能较好的吻合.
  • 作者: 张春粼 胡翠英 钟雨乐
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  36-40
    摘要: 在分析了非晶硅(a-Si)材料的模型后,提出了一种能够反映a-Si材料结构特点的无规网络模型.以此模型为基础,用MonteCarlo方法模拟计算了能量为0.5~2.5MeV的电子束与a-Si...
  • 作者: 樊瑞新
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  41-44
    摘要: 介绍了液相外延技术制备Si/SiO2SOI结构的方法、系统和几个重要环节及当前发展状况,同时指出液相外延技术对制备极低缺陷密度SOI结构具有广阔前景.
  • 作者: 张兴华 张德骏 曹红 杨列勇 苗庆海
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  45-47
    摘要: 介绍了现行标准规定的功率晶体管稳态工作寿命试验条件,讨论了试验条件的选择问题,提出了选择最高结温TJM、最大额定功率Ptotmax和与Ptotmax相应的壳温Tc作为试验条件的观点.
  • 作者: 胡建平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  48-51
    摘要: 考察了集成电路统计最优化问题的特殊性,用统计方法逼近合格电路参数可接受域,并以此模型估计参数成品率,进行成品率优化,并结合CMOS集成运放电路的设计验证了方法的可行性.
  • 作者: 俞军 章倩苓 莫凡
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  52-57
    摘要: 提出一种CMOS静态双沿触发器结构,以单个锁存器构成记忆单元,而由一特殊的时钟模块产生控制信号,使锁存器在时钟上升和下降沿处瞬时导通,从而形成双沿触发的功能.最小的实现方案只用14个管子,模...
  • 作者: 曾云 曾健平 陈迪平 颜永红
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  58-60
    摘要: 分析了μA741在低电源下应用于直放式精密温控电路中时产生超温现象的原因,并提出了有效的解决方法.
  • 作者: 王小梅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  61-63
    摘要: 简要介绍了如何使用PSD芯片来构成单片机系统的硬件电路.
  • 作者: 陈文华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 1999年4期
    页码:  64
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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