半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  1-3
    摘要:
  • 作者: 明天
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  4-5
    摘要:
  • 作者: 何对燕 李洪涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  6-9
    摘要: 光开关是光通信的关键部件,是近年来通信领域的研究热点.文章从光开关的实现方式等方面介绍了光开关的研究与生产现状,重点介绍了MEMS光开关的研究与应用,对光开关发展趋势作了分析.
  • 作者: 周天明 李述体 范广涵 谭春华 雷勇 黄琨
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  10-12,20
    摘要: 低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加,...
  • 作者: 余柏林 唐新峰 王军 罗派峰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  13-16,20
    摘要: 用两步固相反应法合成了单相的p型BayFeCo3Sb12化合物,并系统地研究了Ba不同填充分数对方钴矿化合物热电性能的影响:化合物载流子浓度强烈地依赖于填充原子的填充分数,随Ba填充分数y的...
  • 作者: 曾明刚 林爱清 蔡贝妮 邓彩玲 陈松岩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  17-20
    摘要: 应用X射线光电子能谱(XPS)研究Si基ZnS:Cu,Er薄膜的化学元素组成、分布和价态,认为Cu元素只有少数部分进入晶格中替代Zn2+起激活剂的作用,Er元素在ZnS基质中分布不均匀,且会...
  • 作者: 俞波 廉鹏 李建军 沈光地 邓军 韩军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  21-24,29
    摘要: 对新型长波长半导体材料GaInNAs进行了述评.通过材料性质的介绍,表明GaInNA s材料是一种很有前景的长波长半导体材料.同时介绍了目前GaInNAs材料的几种主要制备手段并进行了比较,...
  • 作者: 刘云燕 袁玉珍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  25-29
    摘要: 相对于其他类型的探测器,GaN基紫外光探测器具有很多优点.本文主要介绍了近几年GaN基紫外光探测器的发展,并对各种结构形式进行了比较.
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  30-32,37
    摘要:
  • 作者: 张永光 徐元欣 王匡
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  33-37
    摘要: CMOS器件进入超深亚微米阶段,集成电路(IC)继续向高集成度、高速度、低功耗发展,使得IC在测试和可测试性设计上都面临新的挑战.本文首先介绍了测试和可测试性设计的概念,分析了测试和可测试性...
  • 作者: 侍寿永 成立 朱漪云 王振宇 祝俊 赵倩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  38-43
    摘要: 综述了圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)的新技术及其应用概要,包括WL-CSP的关键工艺技术、封装与测试描述、观测方法和WL-CSP技术的可靠性及其相关分析等.并对比研究了几种圆片级再分布芯...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  44-46
    摘要:
  • 作者: 李振国 陈建新 高铭洁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  47-50,43
    摘要: 介绍了采用锗硅技术的低噪声放大器的基本理论,给出了一个2GHz低噪声放大器的例子,并总结了近来采用锗硅技术的各种频段的低噪声放大器研究情况.最后,介绍了锗硅技术的广阔应用前景.
  • 作者: 刘新宇 吴德馨 李树翀 韩振宇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  51-53,46
    摘要: 在RF模块的设计中,微带线的设计必不可少,它在模块中起着很重要的作用.本文介绍了2.5G RF LNA模块中微带线的设计过程及实现,并用测量数据证明了微带线设计的正确性及其在模块中发挥的作用...
  • 作者: 周祖成 彭吉虎 顾威
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  54-57
    摘要: 分析了电力线信道的基本模型与OFDM的基本原理,针对电力线通信的具体特点,提出了用于电力线通信、速率可以达到2M的系统设计方案,给出了系统参数和系统使用的算法及仿真结果.
  • 作者: 楼向雄 邓先灿 骆建军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  58-62,69
    摘要: 提出了一种适用于大容量(Mass-Storage)系统可纠双错的Reed-SoIomon快速编、译码算法,具有硬件实现代价小,运算速度快的优点.该电路设计已成功地应用于大容量片上系统(SOC...
  • 作者: 杜红越 谢俊杰 韩雁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  63-65
    摘要: 利用数模混合信号CMOS工艺实现了一种新型漏电开关保护器芯片.与传统的模拟电路保护芯片相比,这一芯片充分利用了数字电路带来的好处:降低了功耗,采用"定时延"方法大大提高了保护控制的精度,集成...
  • 作者: 刘鹏 单江东 田小建
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  66-69
    摘要: 本文介绍了一种实用型基于单片机的高稳定度半导体激光器驱动器.该驱动器由单片机进行程序化控制.末级电路采用功率MOSFET作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流.最后对输出电流的稳定度进行...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  70
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  71-73
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  74-75
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  76-78
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  79-81
    摘要:
  • 作者: Don Blair Keita Gunji 储江佐 潘其涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  插页
    摘要: 本文介绍挑战高速和高精度混合信号测试需求和测试方案的蓝光DVD单芯片SOC架构,以及量产时缩短测试时间,减少测试成本的方法.

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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2. 中国科技论文统计用刊
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