垒层Si掺杂对AIGaInP/GaInP多量子阱性能的影响

• 作者: 周天明 李述体 范广涵 谭春华 雷勇 黄琨
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: X双晶衍射 M O C VD 量子阱 光荧光
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 10-12,20
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.02.005

摘要

低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度增强了1 3倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	黄琨	华南师范大学光电子材料与技术研究所	10	78	4.0	8.0
3	谭春华	华南师范大学光电子材料与技术研究所	20	92	6.0	8.0
4	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
5	周天明	华南师范大学光电子材料与技术研究所	16	75	6.0	8.0
6	雷勇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	8	76	4.0	8.0