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半导体技术2014年第8期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 综述了近年来纳米氧化锌材料p型掺杂改性的研究现状,介绍了用于p型掺杂的单元素和共掺杂双元素以及所采用的主要掺杂方法,这些方法包括热蒸发法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、低温水解法、离子束增强沉积...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,提出了一种改进的高精度、低功耗、具有迟滞功能且结构简单的过温保护电路.在不引入热振荡的前提下,实现稳定电路温度和输出关断信号的双重功能.阐述了过温保...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 针对传统用Synopsys公司IC Compiler工具自动生成供电带的设计方法会对布线资源产生一定程度的浪费,而影响物理设计布线质量的情况,提出了一种基于布线轨道的供电带设计优化方法.该方...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 采用分子束外延(MBE)技术在蓝宝石衬底上依次生长n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层和n+GaN发射极层,并通过半导体微细加工技术,制作了AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 可调光衰减器(VOA)是波分复用(WDM)系统中最重要的器件之一,它的主要功能是控制和衰减光信号.设计并制备了基于石英衬底的4通道马赫增德尔(Mach-Zehnder)干涉型热光可调光衰减器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术.阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体化刻蚀工艺开发所遇到的诸多工艺难题,并对其产生的机...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术.总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速...
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10. 双极大功率晶体管背面工艺优化刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件.实验...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 在图形化衬底上以AlN作为缓冲层生长高质量的GaN薄膜,国内相关的报道较少.通过引入两步缓冲层生长方法,在蓝宝石图形衬底上生长基于AlN缓冲层的高质量GaN薄膜,利用低温AlN层生长时内部的...
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12. 封装基板中溅射纳米Ti层的微结构刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 研究了高密度封装基板中纳米溅射Ti层的微结构及其在无铅回流焊工艺中的稳定性.运用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)研究了实际基板中的溅射Ti层的形貌及结构.X射线衍射(XRD)结...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 建立了晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)柔性无铅焊点三维有限元分析模型,基于该模型对柔性无铅焊点热循环等效应力应变进行了分析,并预测了焊点可靠性寿命.选取第一柔性层厚度、第二柔性层厚度、上焊盘...
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14. 隔离型达林顿管静态漏电失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害.对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树...
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15. 光伏组件分布电容的建模与分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 针对光伏组件分布电容缺少较准确的数学模型的问题,提出了一种晶体硅光伏组件的分布电容模型.利用建立的模型,分析了光伏组件封装材料(玻璃、EVA膜和背板)的介电常数εr、材料厚度对光伏组件分布电...
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16. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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| 3. | 中文核心期刊 |
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