基于RC触发NMOS器件的ESD电路设计

• 作者: 余天宇 孙磊 张颖 李志国 潘亮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺 电阻电容触发NMOS 静电放电(ESD)电路 传输线脉冲(TLP)测试 热效应
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 579-583
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.08.005

摘要

研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中沟道放电器件的优势.通过一系列ESD测试电路的测试和分析,发现电阻电容触发结构可以明显提高ESD电路的保护能力,其中RC值10 ns设计的栅耦合NMOS (GCNMOS)电路具有最高的单位面积ESD保护能力,达到0.62 mA/μm2.另外对于要求触发电压特别低的应用场合,RC值1μs设计的GCNMOS电路将是最好的选择,ESD能力可以达到0.47 mA/μm2,而触发电压只有3V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙磊		5	3	1.0	1.0
2	张颖		5	23	2.0	4.0
3	潘亮		11	45	4.0	6.0
4	李志国		2	0	0.0	0.0
5	余天宇		1	0	0.0	0.0