SiC材料的ICP-RIE浅槽刻蚀工艺

• 作者: 付兴昌 崔玉兴 李亮 闫锐 默江辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC ICP-RIE 浅槽刻蚀 表面粗糙度 刻蚀倾角
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 600-604
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.08.009

摘要

介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的变化规律.最终得到了用于SiC器件浅槽刻蚀的最优刻蚀条件.实验结果表明,RIE功率和ICP最优功率配比分别为12和500 W.该刻蚀条件应用于SiC MESFET制备中,进行了多凹槽栅结构的浅槽刻蚀,实现了多凹槽栅结构.不同深度栅凹槽的片内均匀性均达到了4％以内,片间均匀性也达到了5％,工艺稳定性及均匀性均达到了批量生产要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付兴昌	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	68	5.0	7.0
2	李亮	中国电子科技集团公司第十三研究所	18	77	4.0	8.0
3	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
4	闫锐	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	0	0.0	0.0
5	默江辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	22	1.0	4.0