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半导体技术2015年第10期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 热电能量采集器是一种基于塞贝克效应,利用温差将热能直接转化成电能的温差发电装置.由于其体积小、重量轻、寿命长、无机械运动部件、绿色环保等优点,微型热电能量采集器(MTEG)已经引起了国内外的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 有机/无机杂化钙钛矿太阳电池因具有高光吸收系数、高转换效率以及低制备成本等优点引起了科学界的广泛关注.综述了近年来有机/无机杂化钙钛矿吸收层几种制备工艺的研究进展,重点分析了目前应用较为广泛...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 当输入电压或者负载电流变化时低压差线性稳压器(LDO)系统稳定性是其研究热点和设计难点.针对这一问题,设计了一款加入动态补偿电路的快速响应LDO,这种新颖的LDO结构能有效改善在不同负载电流...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 提出了一种标准单元的电路-版图设计自动优化技术.根据目标电学性能等确定电路中器件的参数值,然后根据参数变化微调现有的标准单元版图,快速自动生成符合设计规则的新版图.该技术可从新版图中获取电路...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 结合混合微波集成电路(HMIC)工艺和砷化镓单片微波集成电路(MMIC)工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器.采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重.版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素.为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 基于三栅分栅闪存在擦除操作F-N隧穿停止时界面电场恒定的特性,提出一种动态擦除电压模型,该模型基于稳定循环操作后浮栅电位的理念,通过实时可监测的浮栅电位值来动态调节闪存器件擦除操作的工作电压...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 主要综述了硅基恒流二极管(CRD)国内外的发展历史和研究现状,并以横向沟道CRD为例,详述了器件的工作原理和关键参数,并分析了影响器件性能的主要因素.同时重点研究了目前国内市场上CRD的主流...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 针对不合腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)的碱性铜粗抛液,通过对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上的动态抛光速率和静态腐蚀速率的研究来模拟评估氧化剂对晶圆表面平坦化的影响.在12英寸铜镀膜片...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对n型插指背接触(IBC)太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响.借鉴双极半导体器件抗二次击穿技术,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 介绍了我国海洋环境的特点及其对双极型晶体管特性的影响.基于典型近海仓库贮存环境,以具有代表性的、用量较大的中小功率晶体管为研究对象,具体分析了近海仓库贮存30～40年的双极型晶体管的性能退化...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 为满足电子设备不断小型化与多功能化的需要,圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)芯片上焊球的尺寸不断缩小,焊球直径达100 μm.选用100,150,200,250和300 μm SAC (Sn-...
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13. 一种电迁移测试失效时间判定方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年10期页码:摘要： 采用铜大马士革工艺制备了用于电迁移测试的样品,对电迁移测试过程中存在的两类电阻-时间(R-t)特征曲线进行了研究.研究发现采用固定电阻变化率作为失效判定标准所得的失效时间分布曲线不能真实地反...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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