半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  81-88
    摘要:
  • 作者: 丁理想 卢东旭 吴洪江 谷江 赵永瑞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  89-92,135
    摘要: 采用0.35 μm BiCMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器.同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响.基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,...
  • 作者: 周欢欢 尹明会 张卫华 陈岚
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  93-96,122
    摘要: 电平转换器可以作为1.1V核心电压和3.3V输入输出电压之间的高速接口.优化的电压上升转换器使用2.5V厚氧化层栅零阈值电压nMOS管保护1.1V薄氧化层栅nMOS器件,在输入电压低至0.7...
  • 作者: 庞英俊 陈昊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  97-100
    摘要: 由于芯片集成度的提高,改善电路性能的同时也导致功率密度增加.为了防止芯片过热,保证芯片可靠、稳定的工作,设计了一款基于电流比较的新型过温保护电路.电路通过产生与绝对温度(正/负温度系数PTA...
  • 作者: 卢鹏志 周子超 曾一平 朱石超 王军喜 赵丽霞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  101-105
    摘要: GaN基白光LED不断向高功率、高性能和长寿命方向发展,GaN基白光LED的热性能成为在使用中的重要参数.采用瞬态热测量方式,对工作在不同的温度和驱动电流的GaN基发光二极管的热性能进行了研...
  • 作者: 谷健 郑娥 陈天
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  106-111
    摘要: 目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入.从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响.当DP注入剂量小于6.0×10...
  • 作者: 刘丹 秦会斌 龚三三
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  112-116
    摘要: 基于板上芯片(COB)封装技术,提出了一种360°出光的新型发光二极管(LED)灯丝球泡灯,其封装基板采用透明基板.研究了不同封装材料及芯片对其LED光通量、光效和色温的影响.首先介绍了LE...
  • 作者: 孙建 李慧娟 杨子健 禹继芳 郝长岭
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  117-122
    摘要: 设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关.与驱动电压高这几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路.开关可在磁场驱动下实现双稳态切...
  • 作者: 刘泽文 吴次南 巩前明 张磊 王俊杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  123-128
    摘要: 射频通信领域中,开关触点材料对射频微电子机械系统(RF MEMS)开关的性能影响很大.在图形化的二氧化硅(SiO2)基底上采用热化学气相沉积(TCVD)法通过“分段”方法生长出了长度为1 ~...
  • 作者: 何杉 吴涛 吴飞鸟 李翀 袁渊 高山城
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  129-135
    摘要: 分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点.基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的结终端造型技术.该技术不仅使芯片极薄化,而且使结终端造型占用芯片长度...
  • 作者: 刘东志 吴凤慈 周雪琴 李巍 汪天洋 鄢靖源
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  136-141
    摘要: 分别采用巯基丙酸包覆的银(Ag/MPA)和十二胺包覆的硫化银(Ag2S/DDA)纳米粒子通过涂布和煅烧两步法在低温下获得了Ag2S-Ag核壳结构薄膜热敏电阻(NTCR)和Ag2S薄膜NTCR...
  • 作者: 李金睿 王谦 程熙云 蔡坚 谭琳 陈钏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  142-147
    摘要: 窄节距焊球阵列(FBGA)封装在现代电子产品中应用广泛,翘曲是这种条带形式封装结构的一个重要性能指标.封装翘曲主要是在模塑工艺中产生的,一方面是降温过程中材料间热膨胀系数不匹配,另一方面是环...
  • 作者: 杨洋 林罡 贾东铭 钱峰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  148-151
    摘要: 用故障树分析法对一款高温工作寿命试验过程中烧毁的GaAs功率单片集成电路(MMIC)进行失效分析.故障样品呈现为有源区烧毁,判定由电流过大或过热引起.故障树的顶事件为GaAs功放芯片烧毁,次...
  • 作者: 陈馨
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  152-156
    摘要: 利用显微镜观察和统计晶体缺陷是一种常规的测试方法,但由于研发初期微管、孔洞等缺陷数通常较多且分布不均匀,统计起来非常费时费力.针对上述问题,介绍了一种利用MATLAB图像处理技术的硫化镉晶片...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年2期
    页码:  157-158
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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