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摘要:
采用0.35 μm BiCMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器.同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响.基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声.采用噪声滤波技术,减小了电流源晶体管噪声对压控振荡器相位噪声的影响.测试结果表明,优化后的压控振荡器能够覆盖1.96~2.70 GHz的带宽,频偏为100 kHz和1 MHz的相位噪声分别为-105和-128 dBc/Hz,满足了集成锁相环对压控振荡器的指标要求.
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内容分析
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文献信息
篇名 宽带LC压控振荡器的相位噪声优化设计
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 LC压控振荡器(VCO) 相位噪声优化 品质因数 噪声滤波 宽带
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目 半导体集成电路
研究方向 页码范围 89-92,135
页数 分类号 TN752
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.02.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴洪江 中国电子科技集团公司第十三研究所 49 225 8.0 10.0
2 卢东旭 中国电子科技集团公司第十三研究所 5 14 2.0 3.0
3 赵永瑞 中国电子科技集团公司第十三研究所 4 6 1.0 2.0
4 谷江 中国电子科技集团公司第十三研究所 4 6 1.0 2.0
5 丁理想 中国电子科技集团公司第十三研究所 3 6 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
LC压控振荡器(VCO)
相位噪声优化
品质因数
噪声滤波
宽带
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
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