工艺参数对低压TVS器件耐压的影响

• 作者: 谷健 郑娥 陈天
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 瞬间电压抑制(TVS)二极管 击穿电压 工艺参数 静电放电(ESD) 齐纳击穿
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 106-111
• 分类号: TN312.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.02.006

摘要

目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入.从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响.当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6V.DP注入能量在50 keY以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2 μm时击穿电压保持为7V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升.通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈天		2	0	0.0	0.0
2	谷健		2	0	0.0	0.0
3	郑娥		2	0	0.0	0.0