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半导体技术2018年第9期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 近年来,碳纳米管(C NTs)因其独特的结构和卓越的电学性能,在后摩尔定律时代成为了集成电路器件领域的研究热点.针对新型CNTs放大器的检测应用,设计了一款完整的放大、模数转换读出电路芯片....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 基于CSMC 0.18 μm工艺,设计了一款全CMOS结构的带隙基准源电路.电路正常工作时,所有MOS管均处于亚阈工作状态,从而保证了整个带隙基准电路芯片具有极低的功耗.在电压输出方面,通过...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 基于90 nm eFLASH工艺设计并制备了一种新型抗辐照Push-Pull型pFLASH开关单元,并对其特性进行了研究.该结构由2个2T-FLASH管(T1/T2)和1个信号传输PMOS管...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 研制了一款基于InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的1 060 nm单横模半导体激光器,并采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法实现了外延生长.使用张应变的GaAsP势垒层对量子...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 通过在碱性硅溶胶中添加不同的芬顿试剂配制成不同的硅溶胶抛光液,检测其Zeta电位绝对值的大小,研究不同芬顿反应试剂对硅溶胶稳定性的影响,进而探究其稳定性对SiC化学机械抛光的影响.实验结果表...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 采用滴涂法将Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米墨水制成薄膜,研究了退火工艺对薄膜性能的影响.首先,采用乙醇作为溶剂、三乙醇胺作为分散剂,将微波液相合成的水性CZTS纳米颗粒配成纳米墨水,并采...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 分析了界面态对硅无结纳米线晶体管(JNT)亚阈值摆幅和电导率的影响,并详细总结了化学钝化硅纳米线界面态的方法以及对器件性能的影响.化学钝化方法主要包括各向同性的氢氟酸(HF)腐蚀钝化和各向异...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 在图形化蓝宝石衬底上制备了InGaN/AlGaN近紫外发光二极管(LED).采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法外延生长了不同厚度的AlN成核层,系统研究了AlN成核层厚度对外延层质量...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 智能剥离技术是制备绝缘体上锗(GeOI)衬底的常用方法.然而,由于锗与硅之间的热膨胀系数相差较大,硅锗键合界面较大的热应力可能导致键合对裂片或者解键合.通过对硅锗异质键合对的热应力问题进行理...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法同质生长了边缘无多晶聚集的金刚石,详细研究了其表面与侧面的生长情况.利用微分干涉相差显微镜和喇曼光谱仪对边缘无多晶的单晶金刚石进行了表征,结果表明...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 采用固相复合及大塑性拉拔技术制备了线径0.020 mm的金包银复合键合丝,并利用扫描电子显微镜、双束电子显微镜、单轴拉伸实验、电阻率实验、键合实验、线弧挑断实验及焊球推力实验等对其微结构和性...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 90 nm节点及以下的芯片在回流组装中,材料热失配引起的凸点剪切易导致低介电常数(k)布线介质层中发生断裂失效,即芯片封装交互影响问题.通过单个凸点的剪切试验,结合凸点下方的布线层失效分析,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 在集成电路28 nm和14 nm等先进制造工艺开发中,采用纳米探针锁定失配器件后,依然无法通过物性分析找出失效原因,成为提升低压良率的最大瓶颈.通过对存储失效单元器件特性的分析提出了失效模型...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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