一款全CMOS结构低功耗亚阈带隙基准源

• 作者: 刘锡锋 孙萍 居水荣 胡佳莉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 全CMOS结构 带隙基准源 亚阈工作状态 低功耗 低温度系数
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 645-651
• 页数: 7页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.09.002

摘要

基于CSMC 0.18 μm工艺,设计了一款全CMOS结构的带隙基准源电路.电路正常工作时,所有MOS管均处于亚阈工作状态,从而保证了整个带隙基准电路芯片具有极低的功耗.在电压输出方面,通过分压降低负温度系数(CTAT)电压同时降低相应的正温度系数(PTAT)电压,使输出电压小于1V.在温度系数方面,通过对CTAT电压进行分压降低负温度系数,配合级联PTAT电路,使温度系数能够精确可调.再经由PTAT电压调整管,极大改善了输出温度特性,得到较低的温度系数.后仿真结果表明该基准输出电压为495 mV,整体工作电流仅为8 nA,温度系数为4.86×10-6,工作温度为-50～150℃.该设计应用于低压差线性稳压器芯片中,芯片测试结果表明其性能良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙萍		16	22	2.0	4.0
2	居水荣		35	85	5.0	7.0
3	刘锡锋		23	20	2.0	4.0
4	胡佳莉		1	8	1.0	1.0