AlN成核层对近紫外LED外延生长的影响

• 作者: 周玉春 李婷婷 李晓波 杨路华 王静辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlN成核层 近紫外LED 蓝宝石图形衬底(PSS) 腐蚀坑密度 外量子效率
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 684-688,696
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.054|TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.09.008

摘要

在图形化蓝宝石衬底上制备了InGaN/AlGaN近紫外发光二极管(LED).采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法外延生长了不同厚度的AlN成核层,系统研究了AlN成核层厚度对外延层质量和InGaN/AlGaN近紫外LED(波长395 nm)光电性能的影响.使用透射电子显微镜对外延层的截面结构及位错进行表征.结果表明,随着AlN成核层厚度的增加,位错密度不断减小,且量子阱表面V形坑尺寸逐渐减小.LED器件的光学性能和电学性能随着V形坑尺寸的减小而提高,归一化外量子效率最大值由0.55增至1;在电流350 mA时,正向电压从3.54V降至3.45 V,又升高至3.60 V.当AlN成核层厚度超过临界值后,位错密度不降反升,量子阱表面的V形坑密度增加,导致量子阱的有效发光面积减小,外延层质量下降.InGaN/AlGaN近紫外LED的光电性能与AlN成核层厚度密切相关,最佳AlN成核层厚度为50.22 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王静辉		3	8	2.0	2.0
2	李晓波		4	8	2.0	2.0
3	杨路华		2	1	1.0	1.0
4	李婷婷		1	1	1.0	1.0
5	周玉春		3	1	1.0	1.0