半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  1-14
    摘要: 以SiC/GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,超宽禁带半导体金刚石功率电子学将有可能成为下一代固态功率电子学的代表,受到研究人员的广泛关注.介绍了金刚石功...
  • 作者: 刘雨雨 熊艳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  15-23,29
    摘要: ZnO是一种带隙宽度约为3.0 eV的Ⅱ-Ⅵ族n型半导体材料,其具有优异的光学性能、压电性能和电化学性能,广泛应用于传感器、太阳电池和催化净化等领域.介绍了目前纳米ZnO的主要制备方法,包括...
  • 作者: 王鹏飞 刘博 段文娟 张立文 张金灿
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  24-29
    摘要: 设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出.后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩...
  • 作者: 高晓强 张加程 王增双 孙高勇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  30-35,46
    摘要: 研制了一款低电调电压、多频段压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC),MMIC主要由6频段振荡电路、控制电路、译码电路等组成.将10~20 GHz的频率范围分为6个频段覆盖,从而将电...
  • 作者: 曾志 李远鹏 陈长友
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  36-40
    摘要: 基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC).该MM...
  • 作者: 卜庆增 张玲 于宗光 陈振娇 徐新宇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  41-46
    摘要: 为满足当前通信系统中存在的多种通信标准要求,提出了一种基于滑窗回溯的多标准Viterbi译码器.与其他Viterbi译码器相比,该译码器在支持任意长度序列译码的基础上,实现了1/2、1/3和...
  • 作者: 章婷婷 刘军 夏颖 张志国
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  47-52
    摘要: 为了精确地表征高频GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的器件特性,提出了一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型.采用传输线理论,建立GaAs PHEMT的源-漏...
  • 作者: 吴頔 汤乃云
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  53-58
    摘要: 针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将该新型器件与传统的矩形结构和梯形结构的FinFET通过S...
  • 作者: 高永辉 徐守利 银军 赵夕彬 陈欣华 黄雒光 崔玉兴
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  59-63
    摘要: 介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路.基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了器件的总栅宽.根据GaN HEMT芯片阻抗,器件...
  • 作者: 徐永贵 韩锴 高建峰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  64-69
    摘要: 热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段.系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO2/SiO2/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下Si0...
  • 作者: 文惠东 胡会献 张代刚 谢晓辰 林鹏荣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  70-74
    摘要: 高密度陶瓷封装倒装焊器件的焊点尺寸已降低至100 μm以下,焊点电流密度达到104 A/cm2以上,由此引发的电迁移失效成为不可忽视的问题.以陶瓷封装菊花链倒装焊器件为研究对象,开展了Sn1...
  • 作者: 方绍明 李照华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年1期
    页码:  75-80
    摘要: 针对晶圆级导通电阻测试误差过高,满足不了低压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)毫欧级导通电阻的测试精度要求,给产品晶圆测试规范的制定及品质监控带来困扰的问题,提出了晶圆级导通电阻测...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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