一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型

• 作者: 章婷婷 刘军 夏颖 张志国
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高频小信号模型 传输线理论 趋肤效应 沟道等效电路 参数提取
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 47-52
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.01.007

摘要

为了精确地表征高频GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的器件特性,提出了一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型.采用传输线理论,建立GaAs PHEMT的源-漏电压为0V情况下沟道的T型等效网络.以量化沟道电阻为中间项,推导出含有趋肤效应模型的拓扑结构并提出参数解析提取方法.结合趋肤效应的高频响应特征,从频率高于40 GHz的测试S参数中剥离10 GHz以下的非本征参数,然后从剥离之后的网络参数中提取趋肤效应模型参数值.采用总栅宽为4×25 μm GaAs PHEMT管芯用于模型和模型参数提取方法的验证.结果显示在2～110 GHz下,该模型的仿真结果与测试结果吻合较好.