半导体学报(英文版)期刊
出版文献量(篇)
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

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影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
出版文献量(篇)
6983
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  • 作者: 吴汉明 王国华 王阳元 黄如
    发表期刊: 2008年9期
    页码:  1637-1653
    摘要: 根据国际半导体技术发展蓝图(international technology roadmap for semiconductor,ITRS),CMOS技术将于2009年进入32nm技术节点....
  • 作者: 刘泓波 周帆 朱洪亮 潘教青 王圩 王路 赵玲娟 阚强
    发表期刊: 2008年9期
    页码:  1657-1660
    摘要: 采用量子阱方法集成半导体光放大器的取样光栅可调谐激光器,这在国内尚属首次.该器件波长调谐范围可达33nm,在放大器注入50mA电流时,输出光功率可达10mW,同时边模抑制比可达35dB以上.
  • 作者: 宋建军 宣荣喜 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇
    发表期刊: 2008年9期
    页码:  1670-1673
    摘要: 采用结合形变势理论的k·p微扰法建立了(101)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型.结果表明:[001],[001],[100]及[100]方向能谷构成了该应变Si的导...
  • 作者: 张瑞 张瑶 杨俊 董志远 赵有文
    发表期刊: 2008年9期
    页码:  1674-1678
    摘要: 分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单品进行闭管磷扩散.通过Hall测试、X射线光电子谱(XPS)、光致发光(PL)以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析.发现扩散掺杂后的Zn...
  • 作者: 付晓君 张海英 徐静波 黎明
    发表期刊: 2008年9期
    页码:  1679-1681
    摘要: 利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAlAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅....
  • 作者: 吴孟 曹延名 杨富华 林峰
    发表期刊: 2008年9期
    页码:  1686-1691
    摘要: 通过有限元分析设计了具有抑制边缘击穿的层叠边缘结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管.通过仔细地控制中央区域结的深度,光电二极管的击穿电压降至54.3V;同时通过调整InP倍增...
  • 作者: 张春 晁军 王志华 麦宋平
    发表期刊: 2008年9期
    页码:  1745-1752
    摘要: 提出了一种带植入式数字信号处理器的人工耳蜗系统.该系统只需在无线通道中传输低码率的语音信号,不存在数据码率受限的问题,有利于人工耳蜗未来的发展.通过优化语音处理算法和数字信号处理器硬件设计,...
  • 作者: 于会永 占荣 惠峰 赵有文 高永亮
    发表期刊: 2008年9期
    页码:  1775-1778
    摘要: 研究了垂直梯度凝同法(VGF法)生长的掺Si低阻GaAs单品材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积...
  • 作者: 冯志红 冯震 宋建博 张志国 李静强 杨克武 王勇 蔡树军
    发表期刊: 2008年9期
    页码:  1783-1785
    摘要: 自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4 A量级减小到了10 -6 A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性.采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率...
  • 作者: 唐元洪 李小祥 李晓川 李甲林
    发表期刊: 2008年9期
    页码:  1786-1789
    摘要: 以硅片、石墨和SiO2粉末为原料,通过多重气同反应成功地制备出一维SiC纳米线.X射线衍射仪分析表明生成产物为立方结构的β-SiC.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜(...
  • 作者: 刘新宇 吴德馨 王显泰 程伟 葛霁 金智 陈高鹏
    发表期刊: 2008年9期
    页码:  1799-1803
    摘要: 从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD(symb...
  • 作者: 吴燕红 周健 徐高卫 罗乐
    发表期刊: 2008年9期
    页码:  1837-1842
    摘要: 研制一种用于无线传感网的多芯片组件(3D-MCM).采用层压、开槽等工艺获得埋置式高密度多层有机(FR-4)基板,通过板上芯片(COB)、板上倒装芯片(FCOB)、球栅阵列(BGA)等技术,...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
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ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
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3. 全国优秀期刊三等奖(97)

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