电子工业专用设备期刊
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电子工业专用设备

Equipment for Electronic Products Manufacturing

影响因子 0.2109
本刊为国内外公开发行的技术性刊物,以报道半导体设备及半导体产业链技术与材料为主要方向,以“公布新的科技成就,传播科技信息,交流学术思想,促进科技成果的商品化、产业化,为建设社会主义精神文明与物质文明服务”为本刊的为刊方针。发挥传媒优势,全方位服务于微电子行业的广大科技工作者。
主办单位:
中国电子科技集团公司第四十五研究所
期刊荣誉:
2001~2002年度标准化规范化部级奖  获2003~2004年度出版质量部级奖 
ISSN:
1004-4507
CN:
62-1077/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
100029
地址:
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
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  • 作者: 刘仁杰 周大良
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  1-5,12
    摘要: 介绍了晶体硅太阳能电池制造装备的技术发展趋势和包含制造执行系统、通讯控制系统、设备自动化系统等部分的光伏电池数字化车间智能制造系统,有效提升整线装备自动化、智能化水平,形成智能化光伏电池整线...
  • 作者: 王静 袁永举
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  6-8,18
    摘要: 综述了微电子机械系统(MEMS)封装主流技术,包括芯片级封装、器件级封装和系统及封装技术进行了。重点介绍了圆片级键合、倒装焊等封装技术。并对MEMS封装的技术瓶颈进行了分析。
  • 作者: 孟凡辉 孟宪俊 张文斌 杨松涛
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  9-12
    摘要: 针对激光加工设备在Al2O3晶圆切割过程中的效率提高问题以及客户需求,通过图像识别功能,研究并设计实现晶圆的自动旋转校位与自动切割功能,极大地提高了晶圆切割效率。
  • 作者: 刘国敬
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  13-14,39
    摘要: 因LED测试芯片经过切割、崩裂、扩张后其上的晶粒会产生很大变形,产生很多空点和排列不规则的点。LED探针台使用面阵相机对晶圆上的晶粒图像数据采集时,两屏之间存在重叠区域,造成大量重复数据。要...
  • 作者: 杜椿楣
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  15-18
    摘要: 随着市场经济竞争激烈,提高产品质量及合格率、降低成本是企业关注的核心问题。IC封装过程中的来料数和实际装片数之差即CV,这个数字客户一般仅给0.5%的控制。正常情况下,只要我们设备、检测系统...
  • 作者: 常亮 王仲康 石伟 衣忠波
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  19-21,48
    摘要: 从机械手工艺应用、结构设计、电气控制、推广应用等几方面介绍了多关节机械手在晶圆减薄机中的应用。晶圆减薄机作为封装领域的重要设备,它的开发和应用,对我国封装产业的发展具有重大意义。多关节机械手...
  • 作者: 代赋 何文海 蔺兴江
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  22-25,53
    摘要: 随着电子产品市场日益升温,电子产品朝超薄、超小等方向发展,产品量的需求越来越大,产品可靠性越来越高,塑料封装模具的冲切工艺产生的分层现象是影响产品可靠性的主要原因之一。文章首先叙述了冲切过程...
  • 作者: 严剑荫 尤春 陈卓
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  26-28
    摘要: 相移掩模(Phase Shift Mask)在实际使用过程中,往往会因为保护膜沾污、损坏或者因为掩模结晶(Haze)等问题需要返回掩模工厂进行重新贴膜。重新贴膜时需要先去除保护膜并清洗。传统...
  • 作者: 师筱娜 柳国光 胡文平 苗俊芳
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  29-31
    摘要: 等离子清洗具有优越的环境特性和去污能力,但缓慢的清洗速度限制了等离子清洗技术的应用,近期等离子领域的研究及实践表明通过控制等离子体的生成条件和工艺气体可以显著提高等离子清洗的去污速度,从而为...
  • 作者: 李健志 李克 毛朝斌 郭立 陈特超
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  32-35
    摘要: 对晶体硅太阳能电池片生产用扩散炉反应管压力平衡系统的要求及原理进行了阐述,由于反应管内气流变化对扩散效果影响很大,本系统根据实际使用经验,对工艺管内压力进行检测,在外围尾气排放不稳定的条件下...
  • 作者: 庞炳远 索开南 闫萍
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  36-39
    摘要: 采用悬浮区熔工艺,生长出了最大直径(等径部分)22 mm的〈100〉晶向锗单晶,单晶等径长度20 mm,总长度80 mm。为减小锗单晶生长中的重力作用,并提高温度梯度以增强结晶趋动力,特别设...
  • 作者: 李伯军 李杰 李留臣 袁长路
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  40-43
    摘要: 当前镓提纯方法大部分采用电解法,电解法生产出的镓晶体纯度不高,常常形成个别杂质元素超标。为了提高其晶体纯度,需采用晶体提拉法来进一步弥补并提升镓晶体提纯工艺方法。从分析镓单晶炉生长的工艺特点...
  • 作者: 刘军涛
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  44-48
    摘要: 对目前液晶显示器生产工艺进行了研究,针对显示效果要求更高的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-Thin Film Transistor)的生产工艺研制开发出一种新型设备可以有效地提高显示效果。对该...
  • 作者: 唐维燕
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  49-53
    摘要: 从企业对应用系统信息安全保密的要求出发,分析了OA系统面临的信息安全风险,并将OA系统安全机制与应用系统信息的安全要求进行对应,深入研究了OA系统安全机制的构建和应用。
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  54-54
    摘要: 美国市场研究公司IDC发布报告称,2012年全球半导体收入将增长4.6%,至3150亿美元;2013年则会增长6.2%,至3350亿美元;2011至2016年的复合年增长率预计为4.8%,到...
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  54-55
    摘要: 尽管我国拥有国际上最大的功率半导体市场,但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距,特别是高端器件差距更加明显。
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  55-56
    摘要: 新的光伏产业技术路线预计将于2013年兴起,光伏产业与相关技术环节都将得到行业广泛关注与支持。创建新的光伏技术路线将引领新的技术购买周期,这一周期将由中国大陆和台湾的顶级晶硅光伏厂商共同推动...
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  56-57
    摘要: 半导体龙头厂台积电(2330)明日将举行法说会,摩根士丹利证券赶在法说会举行前出具最新半导体报告指出,考量需求的减速,同步将晶圆双雄台积电、联电(2303),封测双雄日月光(2311)、矽品...
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  57-58
    摘要: 国际半导体设各材料产业协会(SEMI)预期,韩国半导体设备支出金额今年将突破100亿美元大关,达114.8亿美元,并超越北美,成为全球半导体设备支出最大市场。
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  57-57
    摘要: 恩智浦半导体日前推出业内首款2mm×2mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势,与传统无引脚封装相比,焊接连接质量更...
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  58-58
    摘要: 上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”),专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布成功建立国内首个0.18μm“超低漏电”(Ultra—Low-Leakage,ULL)嵌入式闪...
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  58-58
    摘要: 美国美信集成产品公司推出了将7个传感器集成到1枚芯片上的传感器IC"MAX44005"。集成的7个传感器分别是红色光传感器、绿色光传感器、蓝色光传感器、环境光传感器(ALS)、温度传感器、环...
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  59-60
    摘要: 为冲刺28 nm先进制程,补上产能缺口,台积电大幅调升2012年资本支出,更将28 nm产能视为2012年营运重点,台积电大刀阔斧,上游材料设备商也雨露均霑。
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  59-59
    摘要: 瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结型功率MOSFET“RJL60S5系列”,将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情...
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  60-60,65
    摘要: SEMI的晶圆厂工具供应商贸易部门资深分析师ChristianDieseldorff在日前的SemiconWest演讲中表示,首家使用450 mm晶圆生产半导体的晶圆厂预计将在2017年开始...
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  61-61
    摘要: ●深紫外激光、明场和暗场技术为硅片提供近2倍的光强,实现一流的检测灵敏度 ●专有图像处理运算可降噪50%,能检测到密集结构上的缺陷
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  62-63
    摘要: 今天,应用材料公司宣布推出全新的Ap-plied Centura Avatar刻蚀系统。该系统主要针对高深宽比刻蚀应用,如制造新兴的三维NAND存储结构。
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  63-64
    摘要: 近年来,中国电子制造业每年都在突飞猛进地发展,中国已经成为全球当之无愧的电子制造中心。在新的形势下,技术的迅速发展、整体运营成本的压力尤其是人力成本的不断增加以及生产厂商对设备高效性和灵活性...
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  63-63
    摘要: ·Applied Centura Avatar系统克服挑战,刻蚀全新的三维NAND闪存芯片 ·在同一工艺中实现80:l深宽比结构和渐变深度差异很大结构的刻蚀
  • 作者:
    发表期刊: 2012年7期
    页码:  64-65
    摘要: IPC-国际电子工业联接协会日前发布5月份北美地区印制电路板(PCB)统计调研报告。

电子工业专用设备基本信息

刊名 电子工业专用设备 主编 赵璋
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第四十五研究所  主管单位 中国电子科技集团
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-4507 CN 62-1077/TN
邮编 100029 电子邮箱 faith_epe@sohu.net
电话 010-64443110,64655251 网址 www.chinaepe.com.cn
地址 北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室

电子工业专用设备评价信息

期刊荣誉
1. 2001~2002年度标准化规范化部级奖
2. 获2003~2004年度出版质量部级奖

电子工业专用设备统计分析

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