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电子元件与材料
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本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
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211. 钽酸锂薄膜溶胶凝胶制备工艺研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 用溶胶-凝胶法在不同衬底上制备了新的钽酸锂薄膜;研究了环氧树脂掺杂、甩胶转速、衬底效应、热处理温度和气氛等薄膜制备工艺条件对薄膜晶向、表面形貌和介电特性的影响.结果表明:当溶胶浓度为0.1 ...
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212. 综合信息刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要：
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213. 质子酸掺杂聚苯胺的制备及其常温气敏性能刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 以苯胺为单体,过硫酸铵为氧化剂,采用化学氧化聚合法,在酸性介质中合成了聚苯胺.并用FT-IR光谱和UV-Vis光谱对聚苯胺掺杂前后的结构变化进行了分析,研究了不同质子酸掺杂对聚苯胺气敏性能的...
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214. BT-BKT无铅压电陶瓷的性能研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 通过在BaTiO3(BT)中加入不同含量的Bi0.5K0.5TiO3(BKT),研究了(1-x)BT-xBKT系无铅压电陶瓷的性能特征.经1 200 ℃空气气氛2～4 h烧结的陶瓷形成了钙钛...
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215. 水基流延制备片式PTCR陶瓷的研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 采用sol-gel法制备纳米BaTiO3基PTCR粉体,并以其为原料,采用水基流延成型工艺制备片式PTCR.研究了在sol-gel法制备BaTiO3粉体中,施受主元素含量、陶瓷的烧成温度与P...
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216. 添加剂对聚吡咯固体铝电解电容器性能的影响刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 采用化学聚合和电化学聚合两步法合成聚吡咯(PPy),并用其制备固体片式铝电解电容器.研究了在电化学聚合液中,添加不同种类掺杂剂对所制备的电容器性能的影响.结果表明,分别加入0～0.02 mo...
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217. 纳米二氧化锰的超电容特性研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 利用化学混合法制备了非晶二氧化锰/导电碳黑复合材料,比表面积达168.40 m2/g,一次粒子粒径达100 nm以下,显示出良好的电容特性,单电极比容可达410 F/g.以活性炭作负极组装成...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要：
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219. 高能氧化锌压敏元件研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 为了提高ZnO压敏元件的通流能力,采用化学共沉淀法制得含七种组分的复合添加剂.用此复合添加剂、ZnO、SiO2及Al(NO3)3的混合溶液,经球磨后,制成φ 10 mm×1 mm氧化锌压敏元...
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220. AlN薄膜覆Al基板的物理特性刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 利用磁控溅射系统在6061铝材上制备了3 μm的AlN薄膜.XRD、椭偏测试及耐压测试结果表明,AlN膜为具有良好取向的多晶薄膜,击穿电压高达100 V/μm.利用自动划痕仪对AlN膜进行剥...
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221. 均匀液滴喷射成球法的射流速度计算刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 分别通过流体力学计算、数值模拟及实验方法研究在不同压力作用下生产电子封装用锡球时不同喷嘴的射流速度.对比分析表明,理论计算和模拟与实验结果基本相符;理论计算方法较方便、准确计算出射流出口的平...
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222. 气隙设计对电感绕组损耗的影响刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 鉴于绕组区域处的磁场分布对高频磁性元件的铜损影响很大,利用有限元分析,研究了气隙在磁芯柱位置对铜箔绕组和漆包线绕组铜损产生的影响,以及分布气隙参数对绕组铜损的影响.结果表明:气隙在磁芯柱位置...
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223. 微机械气流式加速度计敏感机理的有限元分析刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 揭示了微机械气流式加速度计的敏感机理.采用有限元方法,分析了在不同加速度输入时敏感元件内的流场分布.结果表明,无加速度输入时,两热敏电阻处的气流速度相等,两热敏电阻上的电流相等,电桥输出为0...
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224. 一种新型磷酸铁锂预烧设备-氮气循环厢式炉刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 基于磷酸铁锂的预烧工艺特点,研制了一种世界上首次采用氮气氛保护厢式炉结构的预烧设备,其中的热风循环、氮气循环、加热和排胶结构中有一些独特设计,可大批量生产磷酸铁锂粉料.现场运行表明,该设备稳...
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225. 焊锡中气泡对电子元件热传导的影响刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 采用有限元软件ANSYS建立了空调中一种电子元件的三维模型,利用有限元"生死单元"技术,模拟电子元件焊锡层中存在不同大小和位置的气泡时的情形,分别对模型的热传导进行模拟计算,并对分析结果进行...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 以Sn2.5Ag0.7Cu为基础,添加微量的稀土(RE) r(Ce︰La)为4︰1,研究了钎焊接头的显微组织与力学性能.结果表明:添加微量的RE后,钎料与Cu试样间的界面层厚度明显减小,且界...
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227. 半导体气敏元件长期稳定性的影响因素刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 介绍了近年来文献中半导体气敏元件长期稳定性的研究现状.总结了敏感材料制备条件,敏感材料在长期使用过程中的物理和化学性质变化,以及催化剂失活等主要因素对气敏元件长期稳定性的影响.最后讨论了未来...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 以SnCl2·2H2O、CuCl2·2H2O、SbCl3和无水乙醇为原料,采用sol-gel浸渍提拉法(sol-gel dip-coating method,SGDC)制备了纳米晶气敏薄膜....
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229. 综合信息刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要：
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230. Na+对WO3气敏性能的影响刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 分别用钨酸钠或钨酸铵溶液及浓盐酸作原料,用直接沉淀法制备了含Na+和不含Na+的WO3粉体,并用XRD及粒度分布测试仪对其进行了表征.结果表明:产物分别是WO3 / Na2W4O13混合氧化...
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231. 活性炭的制备及其在有机超级电容器中的应用刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 选择廉价的煤沥青为原料,经预处理和炭化,以KOH和CO2为活化剂在800 ℃进行物理活化和化学活化,制得活性炭.以1 mol/L Et4NBF4/PC为电解液,制备超级电容器单元.测试结果表...
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232. 二步聚合工艺在固体钽电容器生产中的应用刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 采用二步聚合工艺,在固体钽电解电容器阳极体上被覆具有高电导率、热稳定性好的导电聚合物PEDT(聚3,4-乙烯二氧噻吩)取代了MnO2阴极层,研究了工艺参数对电容器性能的影响.结果显示:电容器...
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233. 固相反应烧结法制备CCTO陶瓷刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 采用固相反应烧结法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了其烧结性能、结构和介电性能.在1 120 ℃烧结即可获得单相CCTO致密陶瓷,其收缩率高达22.3%.εr随着烧结温度升...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 采用固相反应法制备了CuO-BaO掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,研究了掺杂量对陶瓷介电性能的影响.结果表明:随着CuO-BaO混合物掺杂量从0.3%增加到1.0%时,Ba(...
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235. 熔盐法合成钛酸铋钾陶瓷粉体刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 以K2CO3,Bi2O3和TiO2为反应物,KCl为熔盐,通过熔盐法在600 ℃成功合成纯钙钛矿结构K0.5Bi0.5TiO3 (KBT)无铅陶瓷粉体.探寻了制备过程中影响粉体颗粒大小和形貌...
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236. 氧化钇掺杂NBBT压电陶瓷的介电特性刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 研究了Y2O3掺杂对(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3(NBBT)陶瓷晶体结构、介电性能与介电弛豫行为的影响.XRD分析表明,x(Y2O3)掺杂在0～0.7%范围内陶瓷均能...
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237. 基于AOA的多功能n-1阶电流模式滤波器刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出了一种基于AOA(abjoint Op-Amp)多环反馈电流模式多功能滤波器的系统设计方法.以三阶巴特沃思滤波器为例,进行了理论分析.通过改变输入、输出信号的位置,既可从同一端口分别实现...
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238. AlN薄膜有源SAW滤波器集成及性能研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 在AlN压电薄膜上(以SiO2/Si为衬底),使用MOS集成电路工艺制作叉指电极和单元电路,制成中心频率为320 MHz的有源SAW滤波器并进行了测试.结果表明,该滤波器的插入损耗低于10 ...
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239. 新型高Q值U形缺陷地结构带阻滤波器刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出了一种新型的U形缺陷地结构(DGS)单元,该单元可以用来设计高Q值带阻滤波器.减小U形DGS结构两臂的槽宽及槽之间的距离,或在U形槽内加上贴片,可以增大Q值.最后用三个级联的U型DGS结...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Ag靶的方法在室温下制备了不同厚度的ZnO/Ag/ZnO多层膜.对样品进行了研究.结果表明:随着Ag层厚度的增加,ZnO(002)衍射峰的强度先增加...
电子元件与材料基本信息
| 刊名 | 电子元件与材料 | 主编 | 钟彩霞 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司) | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-2028 | CN | 51-1241/TN |
| 邮编 | 610051 | 电子邮箱 | journalecm@163.com/zhubei5148@163.com |
| 电话 | 028-84391569 | 网址 | www.cnelecom.net |
| 地址 | 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室 |
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
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| 1. | 第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年） |
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