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微纳电子技术2008年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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16974
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 回顾和概括了MEMS机电器件进入μm/nm尺度后解决的几个件发展的典型事例进行分析,对我国科学工作者在其中的贡献给予肯定.分析目前机电器件走向nm尺度的一些相关概念理解和需要着重研究的纳米效...
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2. 本刊最新消息刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 将共振隧穿二极管(RTD)的核心结构--双势垒系统与光探测器和调制器的原理相结合可构成共振隧穿光探测器和共振隧穿光调制器.这些器件既保持了RTD高频、高速的特点,同时又具备了光探测器和光调制...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 运用二维器件模拟器ISE TCAD对4H-SiC MESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响.与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要： CMOS工艺进入到65 nm节点后,工作电压降低,随机掺杂导致阈值电压变化增大,给SRAM的读写稳定性带来挑战.介绍了目前业界最新的主要稳定性提高技术.双电源电压、直流分压、电荷共享和电容耦...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 采用基于广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)的密度泛函方法(DFT)对不同直径的一组锯齿型碳纳米管进行了能隙计算,将得到的结果相互对比并与实验数据进行对比,得到了一组单壁锯齿型碳纳...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 以Pb(NO3)2、硫代乙酰胺(TAA)为原料,通过改变十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的用量控制合成了四方形PbS纳米晶,并用XRD、TEM进行了表征.结果表明,当CTAB质量浓度达10 ...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍了纳米TiO2光催化技术的研究进展,分析了纳米TiO2的光催化机理,详细论述了影响TiO2光催化活性的主要因素.研究发现,晶粒尺寸越小光催化活性越高;贵金属沉积可提高催化剂表面光生载流子...
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9. 微流动的尺寸效应刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 随着尺寸的微小化,微流体系统中呈现出一些与宏观流动不同的现象.综述了流动的特征尺寸减小到μm～mm量级引起的尺寸效应,并分析了表面积与体积比、界面粗糙度、粘滞力、梯度参数、边界层流等因素对微...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 提出了一种利用悬梁式热感应薄膜阵列、衍射光栅和图像重建技术来实现高灵敏光学读出红外成像的装置和方法.与传统的光学读出红外成像技术相比,该装置采用彩色CCD设计来提高系统灵敏度,具有结构简单、...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 设计实现性能良好的温度控制是聚合物微纳热压工艺探索及高质量热压加工的必要条件.对热压机温控系统进行了建模分析;将飞升曲线法和最小二乘法相结合,对系统进行了辨识;针对系统模型参数的不确定性,设...
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12. 蓝宝石衬底nm级CMP技术研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素,定量确定了最佳CMP工艺.提出先以重抛过程提高蓝宝石抛光速率,然后以轻抛过程降低最终表面粗糙度的工艺路线.在配...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 在经典DPLL(数字锁相环)的基础上,提出了一种在中频过采样背景条件下利用过采样值进行相位捕捉和跟踪的新型数字锁相环.该方法利用两级鉴频器实现频率锁定,同时利用高频过采样实现数字锁相,对相位...
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14. 国际视点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年1期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 在介绍离子敏场效应晶体管(ISFET)传感器的应用和基本工作原理的基础上,阐述了集成化ISFET传感器的研究现状,包括ISFET敏感膜及其制造工艺与CMOS兼容性研究、集成化读出电路、多传感...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 运用基于第一性原理密度泛函理论(DFT)的非平衡格林函数(NEGF)方法,对正十二面体富勒烯C20分子及其有缺陷的C20分子进行了电子输运性质的研究.通过计算得出了模拟的电子透射谱线.通过比...
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17. SOI CMOS器件研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 综述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的主要结构和导电沟道的制备工艺.如AFM探针操控、CVD原位生长、交流介电泳和L-B大面积操控排布等方法.在对CNTFET的这些结构和制备工艺进行详...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 使用一种新奇的稀土元素铽(Tb)作催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,合成了大量的GaN纳米棒,氨化温度为950℃.氨化时间为15min.该方法可以进行持续...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 归纳分析了离子掺杂对二氧化钛由锐钛矿型向金红石型转化的抑制作用,得出不同掺杂离子对TiO2相转化温度和粒径具有较大影响的结论.以TiCl4为原料,通过添加少量磷酸二氢钠(NaH2PO4),采...
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21. 锗纳米线的性能与应用刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 重点分析讨论了锗纳米线在电学、光学、光电导等特性及其在场效应晶体管制造方面的研究应用现状与最新进展.综合分析表明,未经处理的锗纳米线表面存在一层氧化物及缺陷,与电极连接时欧姆接触性能较差,在...
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22. 电化学刻蚀半导体的结构分析刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 结合多孔硅(Si)、多孔砷化镓(GaAs)以及多孔磷化铟(InP)的不同孔形貌,综合分析了元素半导体硅及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs、InP的刻蚀结构,系统地阐述了晶体结构在电化学刻蚀中的作...
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23. 一种新型解耦硅微机械陀螺的设计刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出了一种新型静电驱动微机械陀螺结构,采用两组对称的梳齿结构作为驱动电极,同时采用中央质量块栅格和与驱动电极相同的梳齿两种结构检测感应模态的振动,每种结构设计两组独立的检测电极,分别采用差分...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 介绍了一种以MEMS技术为基础的电容式硅微真空传感器.该传感器主要采用p+硅自停止腐蚀技术和阳极键合技术制作,形成了玻璃-硅-玻璃的三明治结构.传感器的传感元是经过浓硼扩散的硼硅膜,方形硼硅...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 以草酸溶液为电解液,采用二次氧化法制备了AAO模板,利用自制的实验装置,制备出了高度有序的多孔AAO模板,利用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行了表征.分析了阴阳极间距、制备电压以及草酸溶...
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26. 镁合金抛光机理与CMP工艺研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 将化学机械抛光(CMP)技术引入到镁合金片(MB2)的抛光中,打破过去镁合金以单一化学或机械加工为主的加工手段,用自制的抛光液对镁合金片进行抛光实验.结果发现,抛光液中加入双氧水易产生胶体,...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计.阐述了此芯片的设计思想及系统结构,并对芯片关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析,特别是基准电路和偏置电路,利用耗尽型工艺使电路...
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28. 国际视点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年2期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 回顾了纳米磁多层结构中电流感应自旋矩传输和电流驱动磁化矢量进动引起的自旋渡发射等新量子效应的研究现状及发展.基于该效应的纳米磁多层微波振荡器件具有结构简单、无须外加磁场、容易集成等特点,在现...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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