微纳电子技术期刊
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
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  • 作者: 刘伟峰 刘旭光 杨永珍 许并社 郭明聪 韩艳星
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  475-479
    摘要: 采用光引发聚合方法在经浓HNO3氧化和KH-570硅烷偶联剂处理的碳微球(CMB)表面接枝聚甲基丙烯酸(PMAA),制得PMAA/CMB复合物.探讨了引发剂偶氮二异丁腈(AIBN)用量对PM...
  • 作者: 张敏刚 张真真 柴跃生 陈峰华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  480-483
    摘要: Ni-Mn-Ga合金兼有铁磁性和形状记忆效应,有望成为继压电陶瓷和磁致伸缩材料之后的新一代驱动与传感材料.但是由于合金脆性较大,难以切割,限制了其在微机电系统中的应用.系统阐述了薄膜的化学成...
  • 作者: 常洪龙 焦文龙 牛昊彬 苑伟政 郝星
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  484-489,502
    摘要: 根据矩阵结构分析理论和弹性力学理论建立了一种宽度随长度线性变化的变截面线性梁力学模型,采用硬件描述语言实现了其参数化系统级组件.基于该组件进行的系统级仿真结果与有限元仿真结果相比,静态分析和...
  • 作者: 卢新艳 邹学锋
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  490-493,498
    摘要: 介绍了Allan方差的基本定义,以及采用Allan方差对陀螺零偏数据进行处理所需的测试系统构成及测试要点.详细推导了采用Allan方差法对陀螺仪噪声进行估算的过程,描述了应用MATLAB进行...
  • 作者: 周绍林 李金龙 胡松 赵立新
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  494-498
    摘要: 随着光刻机分辨力的提高,其焦深日益缩小.针对如何充分利用有限的焦深完成Si片的高效曝光,对步进扫描光刻机和双工件台光刻机的调平调焦原理进行了介绍,主要包括基于双光栅的检焦测量原理及检焦扫描路...
  • 作者: 李汝冠 李言荣 蒋书文 高莉彬
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  499-502
    摘要: 介绍了一种能对铋基焦绿石薄膜进行湿法刻蚀的有效方法,研究了HF,NH4F和HNO3的水溶液对铌酸锌铋(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7,BZN)和铌酸镁铋(Bi1.5MgNb1.5O7,B...
  • 作者: 付兴昌 崔玉兴 幺锦强 张力江
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  503-506
    摘要: 基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工艺结果造成的影响.分别采用了湿法腐蚀和干法刻蚀的方法...
  • 作者: 刘建 尧彬 张善伦 李斌 来萍
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  507-512
    摘要: 采用在线监测技术对高密度封装IC样品进行温度步进试验、温度循环试验和振动步进试验等高加速应力试验,确定了产品的耐受应力极限,验证了本试验方案和试验监测技术的有效性和可行性.通过失效分析,确定...
  • 作者: 方家兴 胡志富 蔡树军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  513-517
    摘要: 随着器件工作频率的升高,以集总元件模型描述大栅宽功率器件引入的误差将越来越大,且这一趋势随着栅长的减小更加显著.对微波大栅宽功率器件的分布性作了初步研究,对传统建模和器件优化方法进行改进,将...
  • 作者: 王文君
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  518-521
    摘要: 统计过程控制(SPC)技术已广泛用于半导体器件生产,采用SPC技术可以提高半导体器件的质量和可靠性.利用控制图可以监控生产过程状态,对生产中出现的异常及时进行分析、改进,使半导体器件工艺的生...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年8期
    页码:  522-524
    摘要:
  • 作者: 冯朝文 张立森 蔡理
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年9期
    页码:  525-531
    摘要: SET/CMOS作为一种单电子晶体管与纳米级CMOS混合结构的新兴纳米电子器件,不仅实现两者优势互补,而且其突出的功能特性极大影响着电路微型化发展的道路.从SET/CMOS的串联和并联两种基...
  • 作者: 常永嘉 王鹏 许高斌 陈兴
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年9期
    页码:  532-536
    摘要: 使用超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNT),利用匀胶机把分散获得的、含有SWCNT的悬浮液均匀旋涂于SiO2/Si基上,利用萌罩式电子束蒸发技术在碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏...
  • 作者: 曲丽 董会杰 辛忠 陆馨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年9期
    页码:  537-543
    摘要: 合成了苯并恶嗪单体B-a,通过非等温和等温DSC测量考察了单体的热固化行为;考察了固化温度及固化时间对聚合物膜表面能的影响,并对其热稳定性进行了研究.结果表明,随着固化温度的升高,单体聚合所...
  • 作者: 杨琳琳 王永刚 王玉江 韩高荣
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年9期
    页码:  544-547
    摘要: 无机材料纳米枝杈晶的合成成为最近几年纳米材料合成的热点之一.以Ti(SO4)2和Sr(NO3)2为原料,以KOH为矿化剂,在没有采用任何模板和表面活性剂的条件下,首次采用水热法在0.1 mo...
  • 作者: 尹志岗 应杰 张汉 施辉伟 汪宇 陈诺夫 黄添懋
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年9期
    页码:  548-551,559
    摘要: 利用磁控溅射在石墨衬底上制备了非晶硅薄膜,并使用快速热退火对薄膜进行了晶化处理.XRD分析表明,直接溅射沉积在石墨衬底上的硅薄膜经过快速热退火后具有高度的(220)择优取向.通过在硅薄膜和石...
  • 作者: 杨大勇
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年9期
    页码:  552-559
    摘要: 针对微流体的研究现状,介绍了微流体的驱动与控制原理,将其分为电动控制技术和非电动控制技术.然后,分析了电动微流体的控制模型及数值模拟方法的类型,重点介绍了基于宏观方程的连续介质力学法、基于介...
  • 作者: 丁国杰 于留波 赵湛 轩运动
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年9期
    页码:  560-563,586
    摘要: 针对压电式微传声器的两种测量方法,研究了提高微传声器灵敏度的方法.对于电荷测量法,前置放大电路应采用并联负反馈的方式;对于电压测量法,前置放大电路应采用串联负反馈的方式;并且选用高输入阻抗的...
  • 作者: 刘键 夏洋 饶志鹏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年9期
    页码:  564-572
    摘要: 综述了三维物体重建的各种方法.首先介绍被动还原重建的几种方法,指出了它们的缺陷,即像素匹配问题.接着介绍了从二维坐标空间转化到三维坐标空间所要遵从的对极几何限制,并通过数学推导得出坐标转化表...
  • 作者: 周绍林 徐锋 罗正全 胡松
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年9期
    页码:  573-579
    摘要: 条纹图像的相位提取在现代干涉测量中起着十分重要的作用.从算法原理、研究现状和适用范围等几个方面对比分析了现有的几种条纹图像的相位提取方法,包括相移法、载波法和基于经典算法的相位提取方法.经分...
  • 作者: 严伟 唐小萍 胡松 谢飞
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年9期
    页码:  580-586
    摘要: 针对纳米量级实时检焦技术中光电探测器输出的微弱电信号,提出利用双相锁相放大原理对该信号进行在线检测、放大、滤波及解调,经过一系列处理后得到硅片的实时离焦量,以确定其是否在有效焦深范围内,保证...
  • 作者: 袁明文
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  589-594
    摘要: 综述了石墨烯晶体的能带结构和独特的电子性质,如双极性电场效应、单双层石墨烯效应、衬底效应、石墨烯纳米带(GNR)带隙等特殊效应的研究现状.介绍了石墨剥落技术、外延生长和化学气相淀积(CVD)...
  • 作者: 何庆国 冯志红 张世林 李晓云 毛陆虹 牛萍娟 田爱华 谷晓 郭维廉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  595-602,623
    摘要: 太赫兹波是振荡频率在100 GHz~10 THz范围的电磁波,利用共振隧穿器件高频高速的特点,适宜制作此波段的振荡源器件.指出与其他类型的太赫兹源器件相比,共振隧穿型太赫兹波源器件具有体积小...
  • 作者: 冯志红 刘波 周瑞 尹甲运 敦少博 李佳 王晶晶
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  603-605
    摘要: 通过改变AlN形核层的生长温度分别在Si(111)衬底上生长了两个GaN样品,并对GaN外延材料表面的六角形缺陷进行了分析研究.通过显微镜和扫描电镜(SEM)观测发现,AlN形核层在高温下生...
  • 作者: 成传品 戴雄英 肖刚 邓永和
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  606-609
    摘要: 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上淀积了Bi3.5Yb0.5Ti3O12(BYT)铁电薄膜,研究了在不同退火温度下形成的BYT薄膜的微观...
  • 作者: 张嵩 徐永宽 李强 杨瑞霞
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  610-613,618
    摘要: 在自制的立式氢化物气相外延(HVPE)系统炉中,一定温度下通入一定流量的NH3使GaAs(111)衬底氮化一层GaN薄膜,以防止高温外延生长GaN时GaAs分解,进而提高了之后GaN外延生长...
  • 作者: 易文俊 沙莎 钱吉胜 陈志华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  614-618
    摘要: 根据MEMS的驱动方式对MEMS进行了分类,对电磁MEMS的构造及其特点进行了较为详细的介绍.针对电磁MEMS的流体控制工作原理与结构特点,总结了电磁MEMS在流体驱动、流体混合以及流体消涡...
  • 作者: 夏善红 毋正伟 陈德勇
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  619-623
    摘要: 在采用Si-玻璃阳极键合技术制备微惯性传感器的过程中,实验发现键合圆片中心区域键合失效.通过对键合机理和工艺过程进行分析,认为湿法腐蚀工艺引入钾离子(K+)污染是造成键合失效的主要原因,也可...
  • 作者: 张芹 林耿锐 游炜臻
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  624-628
    摘要: 设计并制作了多种二维变形方波微混合器,通过荧光观测及标准偏差数值分析,在低Re数(Re≤13.33)时,考察拐角和单元长度对混合器混合效果的影响.结果表明,集成拐角的混合器存在一个临界Re值...
  • 作者: 何洪涛
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  629-633,651
    摘要: 苯并环丁烯(BCB)键合技术通过光刻工艺可以直接实现图形化,相对于其他工艺途径具有工艺简单、容易实现图形化的优点.选用4000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘接键合工艺试验,解决了圆片级...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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