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真空科学与技术学报期刊
出版文献量（篇）
4084
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真空科学与技术学报

Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
曾用名： 真空科学与技术

CACSCDJSTCSTPCD

影响因子 0.3586
本刊是全国中文核心期刊，长期被EI、CA、SA等国际蓍名检索系统收录，已全文上网。本刊通过中国图书贸易总公司代理向国外发行。目前在美国、英国、德国、荷兰及我国的香港与台湾地区均有订阅，有一定的影响力。在国内各高等院校科学院所涉及到真空科学与技术论文都大多数向本刊投稿，已成为国内外关学者发表高水平科研成果的主要载体。
主办单位：
中国真空学会
ISSN：
1672-7126
CN：
11-5177/TB
出版周期：
月刊
邮编：
100022
地址：
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
出版文献量（篇）
4084
总下载数（次）
3
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  • 1. 一种可擦写可读出的分子基电双稳器件
    作者： 刘春明 华中一 吕银祥 徐伟 蔡永挚 郭鹏
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  401-403
    摘要： 报道一种可以连续可逆转换的分子基电双稳薄膜器件Ag/BN4/Al,其中BN4为分子材料.该器件在较强电场(约为6 V)作用下表现为高阻态("0"态),阻值大于105 Ω;而在较弱的电场(＜2...
  • 2. 常开型后栅极场致发射显示板工作特性的研究
    作者： 仲雪飞 尹涵春 樊兆雯 王保平
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  404-407,438
    摘要： 常开型后栅极场致发射显示板是一种新型的场致发射器件.它直接利用阳极使阴极产生场致电子发射,而通过埋在阴极之下的栅极上施加负电压来阻止阴极产生场致电子发射来调制显示所需的图像.为了研究该场致发...
  • 3. 铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究
    作者： 叶志镇 吕建国 张正海 朱丽萍 诸葛飞 赵炳辉
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  408-410
    摘要： 本文通过直流反应磁控溅射,采用Al+N共掺的方法在N2O-O2气氛下制备p型ZnO薄膜.结果表明,衬底温度为500 ℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高,并且比单独掺氮时高近3个数量级.本...
  • 4. 利用STM研究Ag粒子在Si(111)7×7重构表面的生长
    作者： 侯士敏 柏亚军 申自勇 薛增泉 赵兴钰
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  411-414
    摘要： 利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM)研究了室温条件下沉积在Si(111)7×7重构表面不同覆盖度的Ag粒子.实验结果表明,低覆盖度时的Ag粒子主要有A、B两种类型,其中A型Ag粒子呈...
  • 5. 射频磁控共溅射制备超亲水TiO2/SiO2复合薄膜
    作者： 崔晓莉 杨锡良 沃松涛 沈杰 章壮健 蔡臻炜
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  415-419
    摘要： 采用射频磁控共溅射法制备了SiO2/TiO2复合薄膜,通过控制SiO2靶与TiO2靶的溅射时间可调节SiO2与TiO2的比例.所制备的SiO2/TiO2薄膜为锐钛矿结构.实验结果表明:SiO...
  • 6. ZnO薄膜的制备和结构性能分析
    作者： 侯洵 张景文 徐庆安 曾凡光 朱长纯 杨晓东 贺永宁
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  420-423
    摘要： ZnO作为一种宽带隙半导体材料,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点.激光分子束外延(L-MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一.高质量精密ZnO陶瓷...
  • 7. 等离子体天线中波的色散关系的研究
    作者： 屠彦 杨兰兰 王保平
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  424-426,429
    摘要： 本文研究了同轴对称表面波沿等离子体柱轴向传播的色散关系,由此得到的波矢说明了当频率小于等离子体频率时,电磁波沿等离子体柱的传播类似于电磁波沿金属介质交界面上的传播,传播速度接近于光速.因此可...
  • 8. PECVD方法直接合成硅氧纳米复合薄膜(nc-SiOx:H)
    作者： 史国华 张溪文 杜丕一 沈鸽 赵高凌 韩高荣
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  427-429
    摘要： 首次报道了以SiH4、N2O和H2混合气体为原料,用PECVD工艺直接合成硅氧纳米复合薄膜(nc-SiOx:H),未经任何后处理过程观察到了可见光致发光现象,发光峰位于530 nm(2.34...
  • 9. 离子束反应溅射ZnO薄膜的晶体结构及光学、电学性质研究
    作者： 刘建 李晓慧
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  430-433
    摘要： 采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品XRD谱的分析,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO薄膜沿c轴择优取向生长的重要因素.在基片温度350 ℃,氧分...
  • 10. SiO2平面光波导工艺中的反应离子刻蚀研究
    作者： 周立兵 曹明翠 罗风光
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  434-438
    摘要： 利用反应离子刻蚀工艺实现硅基SiO2平面光波导的刻蚀,研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀侧壁光洁度等刻蚀结果的影响,并首次研究了分别以无定形硅与多晶硅作为SiO2波导刻蚀掩膜对刻...
  • 11. 正压漏孔校准装置的研制
    作者： 唐景远 王金锁 胡央丽 许红
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  439-441
    摘要： 作者对正压漏孔校准方法作了研究,为了对不同示漏气体的正压漏孔进行精确校准,建立了一套改进型的PΔV/t漏孔校准装置,并对该装置进行了不确定度的分析.该装置校准范围1×10-4 Pa m3/s...
  • 12. Fe3+离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜的真空热蒸发制备研究
    作者： 张海芳 杜丕一 翁文剑 赵高凌 韩高荣
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  442-444,447
    摘要： 本文通过在低温下烧结靶材,利用电子束蒸发方法制备了Ge/Sb/Se/Fe比例可控的Fe3+离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜.用XRD和PHS-9V型酸度计研究薄膜的结构和性能.研究表明薄...
  • 13. 网络状氮化硼纳米棒的生长研究
    作者： 卢晓敏 杨德仁 汪雷
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  445-447
    摘要： 利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition,PECVD)法在单晶硅片上生长了氮化硼(BN)材料.扫描电子显微镜(Scann...
  • 14. 立式高真空MOCVD装置CaN外延生长与器件制备
    作者： 叶志镇 朱丽萍 王贤锋 赵浙 赵炳辉
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  448-450
    摘要： 自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置,能够较好的调节反应气体的流动状态,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层.利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生长出高质量的GaN晶体...
  • 15. 用于薄膜制备的射频宽束离子源的设计
    作者： 任荆学 尤大伟 李安杰 黄小刚
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  451-454
    摘要： 采用射频宽束离子源进行离子束辅助镀膜可以获得高性能的光学薄膜,已越来越得到人们的共识.本文对射频感应线圈的匹配、起弧及三栅离子光学的关键技术进行了重点考虑，并获得了稳定运行的高性能离子源.
  • 16. 等离子体聚合工艺对聚合沉积速率的影响
    作者： 刘睿睿 孙鸿 潘长江 王进 黄楠
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  455-458
    摘要： 利用等离子体聚合的方法对两种有机单体(正丙醇和丙烯醇)进行了等离子体聚合,成功地在Si基体上沉积了高分子薄膜.利用XPS研究了薄膜的结构和不同工艺对沉积速度的影响.研究表明,随着功率的增加或...
  • 17. 用XPS和AFM等方法研究氮化钛薄膜的物理化学特性
    作者： 张寒洁 江宁 沈耀根 鲍世宁
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  459-464
    摘要： 采用反应非平衡磁控溅射方法制备了氮化钛(TiN)薄膜,沉积时的衬底偏压的范围从0V到-500 V.实验结果表明:TiN薄膜的物理特性和力学性能随衬底偏压变化,最佳的薄膜硬度与弹性模量在偏压为...
  • 18. 电感耦合等离子体CVD室温制备的硅薄膜的结构研究
    作者： 杨定宇 栗军帅 王晓强 贺德衍 陈强
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  465-468
    摘要： 用内置式单圈电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)方法在室温下制备Si薄膜.用傅里叶红外吸收光谱、喇曼光谱、原子力显微镜和分光椭圆偏振谱等测量分析表明,即使在室温下用ICP-CVD也...
  • 19. 常压化学气相沉积方法制备非晶硅薄膜及其光致发光性能研究
    作者： 刘涌 宋晨路 沃银花 肖瑛 韩高荣
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  469-471
    摘要： 使用改进的常压化学气相沉积(APCVD)系统制备了非晶硅薄膜,测量了样品的光致发光特性,使用Raman光谱和X射线光电子能谱(XPS)谱测量了薄膜的微结构特征.样品在523 nm出现发光峰,...
  • 20. 磁控溅射镱薄膜的制备及压阻特性
    作者： 周鸿仁 杜晓松 杨邦朝 滕林
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  472-474,480
    摘要： 使用直流磁控溅射的方法在聚酰亚胺上制备镱薄膜,XRD分析薄膜的晶体结构,SEM表征薄膜的形貌,利用一级轻气炮进行了1.5 GPa～2.5 GPa的冲击加载压阻测试.研究结果表明,压阻系数依赖...
  • 21. 大型真空铝钎焊装备--主要技术参数及热工程序设计与控制
    作者： 彭平
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  475-480
    摘要： 本文根据作者多年的实践、试验、理论分析总结了装备设计中工作真空度、抽速容积比、炉室漏气率、加热功率、温度均匀性、控温精度、独立闭环加热区尺寸、加热元件设计计算、工件许用均温度等主要参数的确定...

真空科学与技术学报基本信息

刊名 真空科学与技术学报 主编 吴锦雷
曾用名 真空科学与技术
主办单位 中国真空学会  主管单位 中国科学技术协会
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1672-7126 CN 11-5177/TB
邮编 100022 电子邮箱 vst@chinesevacuum.com
电话 010-58206280 网址
地址 北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室

真空科学与技术学报统计分析

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