PECVD生长nc-Si:H膜的沉积机理分析

• 作者: 何宇亮 刘明 彭英才
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: nc-Si:H膜 沉积机理 退火处理 自组织生长 逐层沉积
• 年，卷（期）: 1998,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 283-288
• 页数: 6页
• 分类号: TB7
• 字数: 5127字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.1998.04.008

摘要

nc-Si:H膜具有显著不同于a-Si:H与μc-Si:H膜的新颖结构与物性.从热力学反应的基元过程出发,定性地分析了本征nc-Si:H与掺磷nc-Si(P):H膜的沉积机理,并提出了进一步改善膜层质量的新途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宇亮	北京航空航天大学非晶态物理研究室	11	181	5.0	11.0
2	彭英才	河北大学电子与信息工程系	103	593	12.0	19.0
3	刘明	北京航空航天大学非晶态物理研究室	42	357	11.0	16.0