氮化物半导体的研究进展

• 作者: 李艳 肖顺珍 蒋荣华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体GaN 光电材料 微电子 光电子
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.01
• 字数: 6042字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.06.005

摘要

叙述了GaN的研究进展及其材料制备的关键技术.