软损伤吸杂作用机构的分析

• 作者: 夏玉山 宗祥福 李积和 陈一
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 软损伤吸杂 氧化层错 透射电镜
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 223-228
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3400字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2000.02.015

摘要

用透射电镜等手段观察了硅片背面原始软损伤及它在工艺热过程中的变化.分析了软损伤吸杂的作用机构:当热氧化时软损伤诱生热氧化层错,当外延生长时软损伤诱生半环形位错,硅片表面电活性区的有害杂质被吸收、沉积在这些诱生缺陷上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宗祥福	复旦大学材料系	39	315	11.0	16.0
2	陈一	复旦大学材料系	41	357	9.0	17.0
3	夏玉山	复旦大学材料系	1	12	1.0	1.0
4	李积和		3	15	2.0	3.0