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固体电子学研究与进展2006年出版文献
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
固体电子学研究与进展
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本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM...
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主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵
信息产业部2001-2002年优秀期刊
双效期刊
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型.借助求解二维Poisson方程,获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式.基于此耐压模型研究了不同阶梯漂移区数(n...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： RESURF LDMOS很难兼顾击穿电压和导通电阻对结构的要求.文中采用了Double RESURF(双重降低表面电场)新结构,使漂移区更易耗尽.从理论和模拟上验证了Double RESUR...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 基于求解二维Poisson方程,分析了具有埋氧层界面电荷的SOI结构纵向击穿特性,提出了界面电荷耐压模型.该模型通过埋氧层界面电荷来调制硅层和埋氧层电场,获得极高击穿电压.进一步提出临界界面...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对Si3N4/SiO2/Si双界面系统进行了电离辐照剖面分析.实验结果表明:电离辐照能将SiO2和Si构成的界面区中心向Si3N4/SiO2界面方...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-MOS器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响.实验发现衬底正偏压对沟长1.135 μm,栅氧化层厚度...
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6. 毫米波单片混频器的研制刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 采用1.18μm GaAs PHEMT工艺,设计和研制了34～40 GHz毫米波单片混频器.该混频器选择了单平衡结构,采用180°电桥结构改善LO-RF的隔离度,并修改了该结构以方便布版.在...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 采用1.5μm GaAs pHEMT工艺研制的5.2～5.8 GHz有源单片式巴仑芯片,最终测试表明:工作带宽之内,芯片输入输出驻波均小于1.5,两输出端幅度之差最大为1.8 dB(@5.8...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 详述了单片超高速2Gbps GaAs 4bit数模转换器(DAC)的设计、制造及测试.在南京电子器件研究所标准φ76 mm GaAs工艺线采用1.5 μm全离子注入MESFET工艺完成流片....
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 研究了一种采用线性化技术的低电压CMOS射频放大器.电路中,并联一个工作在线性区的MOS管来提高其线性.采用SMIC的1.18μm工艺,流片测试结果显示,该电路用很小的功耗代价将放大器的输入...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 对于一个非线性非保守的电子网络,根据等效推力理论,可以求出变阻尼力在一周期中贡献能量的等效平均值Df.文中在等效推力的基础上,提出基波平衡原理.若在适当端口施加正弦电压源,则网络的稳定性取决...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 针对PHEMT器件的特点,在Angelov模型和Triquint-Materka模型的基础上给出了一种新的模型,新的模型在直流特性和S参数拟合结果上都有很好的表现.文章以南京电子器件研究所的...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 利用时域有限差分法对非周期缺陷接地结构(CNPDGS)进行了电磁仿真.分析了在原有的低通滤波器的基础上加入了非周期缺陷接地结构后对滤波特性的影响.并将分析结果与实际测量作了比较,吻合较好,从...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 采用OMMIC的1.2μm PHEMT工艺设计了工作在21～28 GHz的平衡式放大器.正交耦合电桥采用兰格电桥.兰格电桥和平衡式放大器的在片测试结果和仿真结果基本吻合,平衡式放大器在21～...
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14. C波段微波低相位噪声介质振荡源刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 介绍了微波低相位噪声介质振荡器的设计方法.就影响介质振荡器相位噪声的因素进行了讨论,从谐振回路有载Q值、有源器件、增益压缩量、电路模式等几个方面提出了降低相位噪声的方法,并给出了一个C波段微...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 在考虑到杂质的不完全离化作用时,建立了SiC埋沟PMOSFET在发生表面多子耗尽时的电流解析模型.实验结果和模拟结果的一致性说明了此模型的准确性.在300～600 K温度范围表面弱电场的条件...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 采用TSMC 1.18 μm标准CMOS工艺实现了一种4:1分频器.测试结果表明,电源电压1.8 V,核心功耗18 mW.该分频器最高工作频率达到16 GHz.当单端输入信号为-10 dBm...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 利用TSMC的1.18μm CMOS工艺,设计实现了单片集成的5 Gb/s锁相环型时钟恢复电路.该电路采用由半速率鉴相器、四相位环形电流控制振荡器、电荷泵以及环路滤波器组成的半速率锁相环结构...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 简要分析了光接收机分布式前置放大器所具有的宽带优势,研制出了一种利用南京电子器件研究所1.5μm标准GaAs PHEMT工艺实现的10 Gb/s分布式前置放大器.该前置放大器采用损耗补偿技术...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 建立了发光二极管提取效率的理论计算模型,分析了影响隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管提取效率的主要因素,包括从出光表面出射的光、体内的光吸收损耗、衬底对光的吸收损耗、金属电极对光的吸收...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 在等效电路模型基础上,推导了单端输入单端输出和单端输入差分输出情况下跨阻放大器跨阻增益计算公式,探讨了光探测器输出阻抗对跨阻增益的影响,分析了电路S参数与跨阻增益的关系.并且利用ADS仿真工...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由1.6 μm CMOS工艺实现.该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(C...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 给出了一种完全基于CMOS工艺的、能同时测量风速和风向的二维测风传感器的结构、工作原理及其测试结果.该传感器采用恒温差工作模式,热堆输出电压平均值反映芯片温度和环境温度的差,省去了测温二极管...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 研究了一种新的硅微陀螺仪闭环驱动方案,对推挽驱动方式的性能进行了分析,结果表明驱动力矩的频段与噪声信号频段是分离的,因此噪声信号不会影响到驱动效果.在此基础上,利用锁相技术满足正弦自激振荡的...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 从面向应用的角度出发,针对FPGA内部互连资源提出一种新的故障检测方法.该检测方法先测试原设计故障的连接,再通过向FPGA下载新的配置程序定位故障.除借鉴以往故障检测方法的四种配置模型外,又...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 介绍了一种高速7位DAC的设计及芯片测试结果,该DAC选取高5位单位电流源,低2位二进制电流源的分段结构.考虑了电流源匹配、毛刺降低以及版图中误差补偿等方面的问题来优化电路.流片采用1.35...
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26. 基于CCⅡ的电流模式多功能滤波器刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 提出两个三输入、单输出多功能电流模式滤波器,每个滤波器都由三个第二代电流传输器(CC Ⅱ)及一些接地电阻和电容组成.通过选择滤波器的输入端,即可在输出端得到低通、高通、带通、陷波和全通五种基...
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27. 异步系统的信号传送研究刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 异步电路在低功耗、低噪声、抗干扰、无时钟偏移和模块化设计等方面有较高的性能.在SOC芯片设计中,异步设计技术逐渐成为研究的热点.文中比较了同步系统和异步系统信号传递基础,介绍了多个基于异步系...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 对多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,开发出了1.2 μm多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路.NMOS和PMOS的阈值电压绝对值比较接近,...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 随着计算机运算速度的提高及MEMS结构变得日渐复杂,元胞自动机(CA)方法逐渐在MEMS CAD方面显出优势.针对硅的各向异性腐蚀模拟,首先建立硅衬底表面元胞的腐蚀过程二维CA模型,然后推广...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 硅-硅直接键合的硅片界面存在一层很薄的氧化层,其化学成分是非化学计量比的氧化物SiOw(0＜w＜2).杂质在界面氧化层SiOw中的扩散系数与化学组成有关.文中根据建立的界面氧化层模型推导出了...
固体电子学研究与进展基本信息
| 刊名 | 固体电子学研究与进展 | 主编 | 杨乃彬 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-3819 | CN | 32-1110/TN |
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | gtdz@chinajournal.net.cn |
| 电话 | 025-86858161 | 网址 | |
| 地址 | 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号） |
固体电子学研究与进展评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国期刊方阵 |
| 2. | 信息产业部2001-2002年优秀期刊 |
| 3. | 双效期刊 |
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