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固体电子学研究与进展2012年出版文献
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
固体电子学研究与进展
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本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM...
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主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵
信息产业部2001-2002年优秀期刊
双效期刊
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
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9851
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 利用基于非平衡格林函数的密度泛函方法,对长度变化石墨烯带的电子结构和输运特性进行了研究,得出在同一长度的石墨烯带内,系统态密度的峰值与电子传输概率的峰值具有较好的对应关系,但是电子传输概率的...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 提出了一种基于SOI工艺6T SRAM单元质子辐射的单粒子饱和翻转截面的预测模型,该模型通过器件物理来模拟辐照效应,利用版图和工艺参数来预测质子引入的单粒子饱和翻转截面.该模型采用重离子的S...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性.衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小；衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大.这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 提出了一种应用于超高频(Ultra high frequency,UHF)射频识别(Radio frequency identification,RFID)标签芯片的射频测试技术.针对UHF...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 以具有两传输零点二阶滤波器为原型.利用Ⅱ-T网络等效变换减小所需电感值,T型电感网络利用低温共烧陶瓷工艺很容易一层实现,并占据较小面积.同时,电感网络的变换简化了滤波器结构.引入T型开路线改...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 设计了一种新型的互补开环谐振器(Complementary split ring resonators,CSRR),研究了新型CSRR应用在基片集成波导(Substrate integrat...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 基于LTCC技术设计了一款双通道应用的开关、驱动和低噪放一体化模块,利用HFSS对无源器件电感进行仿真,将电感嵌入LTCC基板中,不仅提高了模块的集成度,同时也降低了成本.在1.8～2.1 ...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 提出了一种应用SIP技术的宽带低损耗板间垂直互连结构.采用BGA作为上下两层基板微波互连的通道,利用多层PCB技术设计并研制了一个DC-20 GHz板间三维垂直互连过渡结构,该结构在20 G...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 设计了一种应用于移动终端的InGaP/GaAs HBT功率放大器.该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置点的不稳定,而且补偿了由于输入信号增大所...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 运用串联反馈振荡器理论设计了一个工作于S波段的低相噪同轴介质压控振荡器.首先分析了同轴介质谐振器的理论以及串联反馈振荡器的工作原理,然后在高频电磁仿真软件HFSS和ADS中进行仿真和设计.为...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 描述了一个100.0 MHz的石英晶体振荡器的设计和性能,提出了一种在振动条件下获得较好相位噪声性能的方法.测试结果表明:在静止状态下,晶体振荡器的相位噪声为:-143.0dBc/Hz@1k...
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12. 微波脉冲功率器件瞬态热阻测试研究刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 设计了三种正向开口方式为〈100〉向折线型、长条型、长短条复合型的悬浮膜系.在水浴温度80℃条件下,120 min后,〈100〉开口膜系由50％ KOH溶液各向异性腐蚀快速释放成形,获得完整...
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14. 电离式碳纳米管气体湿度传感器刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 研究了一种新颖的碳纳米管气态离化结构的碳纳米管气体湿度传感器.该传感器具有一对或多对叉指状侧壁电极结构,电极上覆盖一层多壁碳纳米管薄膜,其利用碳纳米管高长径比的尖端电场收敛作用增大局部电场,...
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15. Ka波段0/ΠMEMS移相器刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 报道了一种Ka波段实时延MEMS移相器芯片.该移相器基于开关线式移相器设计原理,集成了4个MEMS三端口直接接触式毫米波开关单元,使用共面波导(CPW)传输线,利用阶梯阻抗的方式实现传输线拐...
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16. 3D堆叠技术及TSV技术刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 介绍了3D堆叠技术及其发展现状,探讨了W2W(Wafer to wafer)及D2W(Die to wafer)等3D堆叠方案的优缺点,并重点讨论了垂直互连的穿透硅通孔TSV(Through...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 研究了砷化镓基毫米波MEMS开关的表面工艺方法,包括MEMS开关的工艺流程中的牺牲层技术、结构层技术、触点技术、薄膜电阻技术.重点阐述了以光敏聚酰亚胺作牺牲层和以电镀金作结构层的工艺制作方法...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 将喷胶技术应用到金属互联工艺中,此方法可以用于器件的封装.具体工艺步骤如下:在衬底与硅帽键合结束后在底部湿法刻蚀孔200μm.在孔中利用PECVD生长SiO2,优化喷胶工艺在盲孔底部进行光刻...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 提出了一种高电源抑制能力(PSR)、低噪声的低压差调节器结构.利用电流镜和压控电流源技术,消除一个低频极点,提高LDO系统稳定性.1 kHz时PSR可达到100 dB以上,1 MHz时PSR...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 设计了一种基于传统Dickson结构的PMOS管传输型电荷泵电路.电路通过衬底电位跟随器实现PMOS管传输,避免了传输过程中阈值电压损失；通过电阻分压反馈网络、控制振荡器输出达到稳压的目的；...
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21. 征稿启事刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年1期页码:摘要：
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 从电子与体纵光学声子(LO声子)体系的哈密顿量出发,采用Huybrenchts的线性组合算符及幺正变换方法研究了在磁场作用下抛物量子线中弱耦合束缚极化子的激发能量、第一内部激发态能量和振动频...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 精确地描述FET器件大信号微波特性阻抗对单片微波集成电路设计极其重要.为了能准确地模拟FET器件大信号微波特性,在大信号器件模型中,有必要研究栅等效电容模型,尤其在高频段.在总结前人研究的基...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试.实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器的...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 研究了LDD nMOSFET栅控产生电流在电子和空穴交替应力下的退化特性.电子应力后栅控产生电流减小,相继的空穴注入中和之前的陷落电子而使得产生电流曲线基本恢复到初始状态.进一步发现产生电流...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 采用双层条状金属热应力模型,用MATLAB方法对退火过程中GaAs/InP晶片间的应力和双轴弹性形变能进行模拟和分析.结果表明:将InP剪薄至200 μm,GaAs剪薄至175 μm,剪应力...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 通过将时序逻辑电路中的反馈回路打开,在原有电路结构的基础上增加一路输入,采用概率转移矩阵方法建立了基于QCA的RS触发器、D触发器、JK触发器的可靠性模型,深入研究了各组成元件对其可靠性影响...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 0.5 μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力.文中显示,影响0.5 μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素...
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29. 一种非对称射频开关芯片的设计刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 采用非对称结构和双悬浮技术设计了射频开关芯片,测试结果表明,工作频率为2.4 GHz的射频开关,在发射模式下,插损为-1.18 dB,隔离度为-31.88 dB,在接收模式下,插损为-1.4...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 设计了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关.为了在毫米波波段获得较高的隔离度,通过使用短截线结构,以降低输入输出端口的耦合电容.为了获得可靠的金属接触,设计了一种改进型的“蟹形...
固体电子学研究与进展基本信息
| 刊名 | 固体电子学研究与进展 | 主编 | 杨乃彬 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-3819 | CN | 32-1110/TN |
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | gtdz@chinajournal.net.cn |
| 电话 | 025-86858161 | 网址 | |
| 地址 | 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号） |
固体电子学研究与进展评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国期刊方阵 |
| 2. | 信息产业部2001-2002年优秀期刊 |
| 3. | 双效期刊 |
固体电子学研究与进展统计分析
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