固体电子学研究与进展期刊
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固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊,向国内外公开发行。国内统一刊号:CN32-1110/TN,国际统一刊号:ISSN1000-3819,主编:林金庭,地址:南京市中山东路524号,邮编:210016,电话:4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEM... 更多
主办单位:
南京电子器件研究所
期刊荣誉:
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN:
1000-3819
CN:
32-1110/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
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  • 作者: 王光年 陶洪琪
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  1-6
    摘要: 报道了一款采用0.25 μm GaN HEMT工艺的X波段高效率负载调制平衡放大器芯片.该芯片由两个射频端口的90°Lange耦合器,一对平衡功率放大器和一个控制信号功率放大器组成.通过改变...
  • 作者: 张志浩 曾凡杰 李嘉进 章国豪 蓝焕青
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  7-11,22
    摘要: 设计了一种温度不灵敏的高线性度的射频功率放大器芯片,采用新颖的带温度反馈环路的有源片上自适应偏置电路,该电路降低了温度引起的放大器集电极直流电流分量的变化量,补偿了由温度变化而引起的性能偏差...
  • 作者: 尹应增 杨丰旭 罗世衡
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  12-17
    摘要: 选用HMC703LP4E小数频率综合器与专门设计的有源环路滤波器和商用VCO构成了步进扫描数字锁相环,改进了调频连续波的调频带宽稳定性和调频线性度.对设计的电路进行了制作和测试,实验结果表明...
  • 作者: 倪冬欣 凌志健 彭龙新 李建平
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  18-22
    摘要: 采用GaAs增强型pHEMT工艺,将限幅器和低噪声放大器集成在同一衬底,设计了一款用于5~6 GHz的限幅低噪声放大器.限幅器采用PIN二极管进行设计,低噪声放大器采用并联负反馈、源级电感负...
  • 作者: 唐思源 孙建萍 徐昌文 李勇 王奇 金明 陈刚
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  23-26,37
    摘要: 介绍了一款L波段隔离滤波组件的设计方法,通过带线结型隔离器和低通LC滤波器进行组合设计实现对发射机二次和三次谐波杂散的有效抑制,同时采用耐功率设计,大幅提升了隔离滤波组件的功率容量.借助AW...
  • 作者: 李聪 王开开 苗倩 董成杰 邢琼 陈明
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  27-31
    摘要: 为有效减小C波段基片集成波导的尺寸和插入损耗,提出了一种基于半模基片集成波导的紧凑型宽带带通滤波器.该滤波器引入由单个谐振槽和多个谐振槽组成的缺陷微带结构,并对其性能进行了研究.通过HFSS...
  • 作者: 胡大成
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  32-37
    摘要: 通过精确控制5G系统中的大规模MIMO天线各单元的幅度和相位,实现的波束赋形技术可以提高天线增益和空间复用能力,因此该种天线需要相对应的校准网络对天线阵列进行定期校准.提出了一种一体化设计的...
  • 作者: 文舸一 李婷
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  38-42
    摘要: 设计了一款适用于移动手持终端的低剖面波束成形天线阵列.该天线阵列由八个结构相同的倒F天线组成,可以工作在GSM1900(1 880~1 920 MHz)、LTE2300(2 300~2 40...
  • 作者: 刘宪云 夏丽 彭聪 戚伟 方佳怡
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  43-47
    摘要: 快速推广LED产品到照明市场最主要的障碍在于长期的可靠性测试问题.由于长期的LED可靠性测试不符合快速且低成本的要求,因此本实验对白光LED进行步进式加速寿命老化测试,步进式环境温度从55℃...
  • 作者: 朱姗姗
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  48-52
    摘要: 利用密度泛函理论中的第一性原理计算掺杂A g、P的ZnS材料,对掺杂Ag、P前后ZnS超晶胞的电子结构以及光学性质进行了分析研究.计算结果表明,掺入杂质后,价带顶出现杂质能级,费米能级进入价...
  • 作者: 刘洁 张有涛 李亚军 李晓鹏 杨磊 陈新宇
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  53-59
    摘要: 提出了一种新颖的双模式高集成开关电容电荷泵.该电荷泵集成高频振荡器、电平移位、逻辑驱动以及4个功率MOSFET开关.与传统电荷泵相比,该电路可以工作在单电源以及双电源两种模式.单电源模式下,...
  • 作者: 万书芹 任凤霞 邵杰
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  60-65
    摘要: 针对高速ADC数字下变频中的实时滤波需求,设计了一种基于ASIC的并行流水线级联半带滤波器.首先根据ADC输出数据速率远高于DSP处理能力的工程问题设计了可以实现16、8、4、2倍抽取的四级...
  • 作者: 孙海燕 张琦 王子轩 蔡志匡 郭宇锋
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  66-70
    摘要: 提出了一种基于热阻网络的叠层芯片结温预测模型,该模型根据芯片内各组件的尺寸和热导率计算出对应的热阻,同时考虑了接触热阻和热量耦合效应,从而得到每层芯片在不同功耗情况下的结温预测值.在一个三芯...
  • 作者: 孟阳 靳果
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  71-78
    摘要: 为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的转换效率和稳定性,在隧穿结构中引入ZnO∶B中间层,研究了中间层掺杂情况对叠层电池短路电流密度、开路电压、填充因子、转换效率等性能的影响.实验结果表明:最佳的...
  • 作者: 王维波 郭方金 陶洪琪 马二晨
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  79-82,86
    摘要: 设计了一款G波段GaN HEMT功率放大器.放大器采用级联结构,在每级设计中均引入了并联反馈.放大器工作频段内的小信号增益大于25 dB,3 dB带宽为17 GHz.大信号测试结果显示,在1...
  • 作者: 张斌 张茂强
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  83-86
    摘要: 采用50 nm GaN HEMT技术实现了一款太赫兹波有源平衡式二倍频器单片微波集成电路(MMIC).通过在输入端使用巴伦,可以确保二倍频器良好的基波抑制性能.在没有任何后置放大器的情况下,...
  • 作者: 李维勤 蒲红斌 霍志胜
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  87-93,121
    摘要: 电介质、聚合物薄膜的电子束诱导电导特性是其电子显微检测以及绝缘性能研究的重要手段.基于Rutherford模型模拟电子的散射过程,利用电流连续性方程计算电荷的输运过程,采用数值计算结合实验研...
  • 作者: 吴云 周建军 孔月婵 杨扬 王登贵 郁鑫鑫 顾晓文
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  94-103,121
    摘要: 以三维体材料金刚石、二维材料石墨烯和准一维材料碳纳米管为代表的碳基电子材料,分别拥有超宽禁带、超高载流子迁移率、优异的导热性能和机械特性,以及独特的低维结构带来的各种量子效应,在射频大功率、...
  • 作者: 王锋 赵亮 闵应存
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  104-109
    摘要: 提出一种对商用肖特基二极管进行准确建模的方法.二极管的主要外形尺寸通过光学显微镜下测量得到.厂家所提供的零偏置结电容(Cj0)以及等效串联电阻(Rs)一般是在低频(兆赫兹量级)、小信号下测量...
  • 作者: 周正轩 曾凡杰 章国豪 蓝焕青
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  110-115
    摘要: 针对无线通信应用系统,采用了一种具有温度补偿特性的偏置电路和一种带有谐波抑制功能的输出匹配网络,设计了一款高线性高谐波抑制的功率放大器.该功率放大器采用InGaP/GaAs HBT工艺,工作...
  • 作者: 仲也 周玉钰 唐守锋 张胜 郭亚
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  116-121
    摘要: 研究了两款基于开口缝隙结构且带宽可调的宽带天线.首先提出了一款矩形开口缝隙天线,通过在天线地面边缘刻蚀约四分之一波长的矩形开口缝隙,获得了约40%的相对带宽.通过改变矩形开口缝隙上侧的接地面...
  • 作者: 吴曼迪 周瑞城 孙绪保 李宗敏 王亮
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  122-126
    摘要: 根据复合左右手传输线(CRLH-TL)基本原理,设计了一种带有CRLH-TL结构的圆极化天线.通过双螺旋槽结构和底部的矩形金属条来引入左手模式,利用割除正面辐射贴片上的两个矩形的方法,产生圆...
  • 作者: 李聪 陈明
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  127-130
    摘要: 为获得反射型相位梯度超表面的宽带响应,设计了一种“靶”形结构单元,在11~19 GHz的频带内,不同尺寸的单元可获得基本不变的反射相位差.使用有限元仿真软件COMSOL Multiphysi...
  • 作者: 张美娟 朱红萍 李新 洪婷 赵正超
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  131-137
    摘要: 提出了一种适用于多相同步降压型DC/DC稳压器的高增益误差放大器.为解决DC/DC稳压器在多相级联驱动同一个负载时电流不能均分的问题,在主从控制法基础上设计了差分驱动电路,保证各级误差放大器...
  • 作者: 孙玲 杨羽佳 王玉娇 赵继聪 黄静
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  138-144
    摘要: 为满足可穿戴集成电路长续航时间的应用需求,设计了一种低功耗14 bit逐次逼近型模数转换电路.为提高电路线性度,采样保持模块利用开关自举原理获得晶体管栅极电压;采用动态预置放大加锁存比较结构...
  • 作者: 于海龙 尹志军 李忠辉 王伟 马奔 高汉超
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  145-148,158
    摘要: 采用分子束外延(MBE)方法,在半绝缘InP(100)衬底上外延InGaAs/InP超晶格结构.通过优化As、P转换时间,研究了As、P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面特性的影响.经...
  • 作者: 吴建飞 李向前 李尔平 李彬鸿 王蒙军 郝宁 高见头
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  149-153
    摘要: 为了研究绝缘衬底上硅(SOI)工艺器件在传导干扰下的电磁抗扰度特性,分别选用了SOI CMOS工艺和体硅CMOS工艺的CAN控制器,基于直接功率注入法对芯片进行了抗扰度测试,结果表明SOI芯...
  • 作者: 刘清君 李勇 田飞飞
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  154-158
    摘要: 通过对共晶锡铅焊球与Ni/NiP UBM层扫描电镜界面微观组织观察和成分分析,研究了Sn-37Pb/Ni和Sn-37Pb/NiPUBM焊点界面反应特性.研究表明芯片侧界面IMC由Ni层到焊料...
  • 作者: 杨乃彬 薛舫时 陈堂胜
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  159-163
    摘要: 从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念.利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案...
  • 作者: 余旭明 徐波 杨常林 陶洪琪
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  164-168,190
    摘要: 报道了一款基于0.25 μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC.为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级.在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)

固体电子学研究与进展评价信息

期刊荣誉
1. 中国期刊方阵
2. 信息产业部2001-2002年优秀期刊
3. 双效期刊

固体电子学研究与进展统计分析

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