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固体电子学研究与进展2019年出版文献
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
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总被引数（次）
9851
固体电子学研究与进展
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本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM...
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主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵
信息产业部2001-2002年优秀期刊
双效期刊
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
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9851
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 报道了一款采用0.1 μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片.该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器.二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 设计了一款适用于多载波聚合,满足160 MHz LTE信号带宽下适用数字预失真技术(DPD)校正的GaNDoherty功放.测试结果表明,在3.4～3.6 GHz的工作频率范围内,使用脉冲信...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 基于非平衡格林函数结合第一性原理的计算,研究了二茂铼分子(Re(cp)2)的吸附对Zigzag型石墨烯纳米带(ZGNRs)自旋输运性质的影响.研究发现,对于完美的ZGNRs,当原子宽度m=1...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 采用0.25 μm GaAs E-pHEMT工艺设计和制作了一款0.6～4.2 GHz宽带低噪声放大器芯片.芯片采用电流复用技术,降低了整体功耗,且集成了关断(Shutdown)控制电路用于...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 设计了一种4 bit毫米波MEMS移相器驱动电路,主要由24 bit串并转换电路、高压控制电路和升压电路组成.利用24 bit串并转换电路和高压控制电路,实现了波控机控制系统与MEMS移相器...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 针对射频集成工艺中各类工艺容差电性能的多要素耦合模型研究中由多输入带来的“维数灾难”问题,提出了采用遗传算法进行参数优选降维的方法.以纯BP(Back propagation)神经网络为基本...
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7. 新型四通带滤波器设计刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 基于多枝节加载四模谐振器,设计出一款新型结构简单的四频带通滤波器,其频带可控、损耗较小.通过改变谐振器中4个相对独立的谐振路径长度可对四个通带的中心频率进行调节.由于4条谐振路径复用微带传输...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 利用对称和反对称圆极化天线对构造了一种圆-线极化调制模块,并将其作为模块单元,设计了一种具有极化变换功能的天线罩.调制模块中的对称圆极化天线对实现同旋向圆极化变换,反对称圆极化天线对则实现异...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 设计出一种由两个六边形开口谐振环组成的电磁超材料单元,这种新型的电磁超材料单元实现了左手特性.然后优化出一个中心频率为16 GHz的二元阵列微带天线,将左手材料单元置于辐射贴片周围,利用三维...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 采用第一性原理方法计算不同Ti含量Ca2 Si的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质.几何结构和电子结构的计算结果表明,Ti掺杂使Ca2 Si的晶格常数a增大,6、c减小,晶胞体积减小....
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 在芯片生产过程中,由于工艺的影响,带隙基准电压VBG会存在偏差.在芯片测试阶段,需要对VBG进行trim修调,使其满足芯片参数要求.简要分析了带隙基准电压误差的来源,提出了一种E-Fuse修...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 应用透射电子显微镜技术和数值模拟计算,对基于材料Ge2 Sb2 Te5的相变存储器单元有源区RESET电流的影响进行了研究,主要包括有源区晶粒结构和晶粒区域大小对RESET电流的影响.综合分...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 比较了传输线脉冲(TLP)波形和人体金属模型(HMM)波形作为静电放电(ESD)防护器件测试注入波形时的测试精确度,强调了在动态测试中使用TLP的优势.从微观机理角度分析,计算了载流子输运方...
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14. 共晶锡铅焊料与薄金焊点可靠性研究刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年1期页码:摘要： 通过对共晶锡铅焊料和PCB UBM层电镀薄金焊盘反应后的界面微观组织观察和焊点断口力学性能分析,系统研究了PCB焊盘薄金对焊点焊接性能的影响.结合Au-Sn合金二元相图理论和Au在Sn中溶解...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件.采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p-金刚...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 报道了在60μm厚、掺杂浓度1.3×1015cm-3的外延层上制备4H-SiC功率DMOSFET器件的研究结果.器件击穿电压大于6.5kV,导通电流大于5A,相对于之前的报道结果,器件导通能...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 提出了一种基于双极性扩散方程的PIN二极管的一维物理计算模型.该模型主要针对PIN二极管的正向温度特性研究,考虑了载流子扩散系数、载流子迁移率、禁带变窄效应、载流子寿命随温度变化的影响.介绍...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现.在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性....
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 介绍了一种基于0.7 μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路...
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20. W波段低损耗径向功率合成器设计刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 介绍了一种采用圆波导TE01模式转换实现的W波段低损耗径向功率合成器.设计出了16路圆波导TE01模径向合成器和圆波导TE01模转换器,整体结构简洁紧凑,利于加工制造.对合成器在85～105...
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21. 高工作电压GaAs HFET刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 通过对结构和性能的分析与优化,设计并研制了不同场板和宽槽条件下的高工作电压GaAs HFET器件.直流和射频测试结果表明:提升场板长度和宽槽宽度可以有效提高器件的工作电压.器件在南京电子器件...
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22. 具有缺陷地结构的双频微带天线设计刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 采用哑铃型缺陷地结构(DGS)设计了一种新型的双频微带天线,天线的主要辐射单元为一对对称的I形贴片,L形贴片所包围的中间区域敷以圆弧形贴片和一个竖向的矩形连接带并将二者融合为一个整体,实现了...
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23. 全可调滤波器研究进展刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 对全可调微波滤波器技术进行了综述.介绍了全可调滤波器的背景和意义,归纳了各个调节技术的原理及实现方法,阐述了国内外全可调滤波器的最新研究进展,分析了稳定性和集成度研究现状,最后总结了目前存在...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 利用低压MOCVD技术制备PIN结构的InP基InGaAs外延材料.采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次Zn扩散、多层介质膜淀积、Au/Zn p型欧姆接触、Au/Ge/Ni ...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 针对四元系AlGaInP红光发光二极管在制备过程中,材料的掺杂特性对于器件性能影响巨大,尤其是AlInP限制层材料的掺杂,对于器件光电性能具有明显的影响.在实际生产过程中P型掺杂浓度的波动非...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 在12 bit 200 M采样率的模数转换电路(ADC)中实现了片内CMOS输入缓冲电路,输入缓冲电路采用源极跟随器电路构架.通过分析源极跟随器的非线性特点,在输入缓冲电路中加入高通滤波电路...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 描述了一种双模自适应连续时间线性均衡器(CTLE)的结构和电路设计.提出了一种结合HF-Boost、DC-Degeneration模式的双模CTLE,在5 Gb/s数据速率下提供最大的14 ...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 通过功率外壳金硅(AuSi)焊接失效案例,研究了铜-钼铜铜(CPC)、铜-钼铜(CMC)为热沉材料的功率外壳镀覆工艺,包括在CPC(或CMC)材料无氧铜表面高温重新形成晶格,采用外延生长型N...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年2期页码:摘要： 锂离子电池性能研究和提高已成为化学电源领域热点,使用低压化学气相沉积(LPCVD)法在铜箔上制备CoSb3纳米颗粒薄膜,该薄膜不添加任何粘合剂,直接用作锂离子电池电极.50次充放电测试数据表...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 报道了基于50 nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果.在AlN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50 nm的“T”型栅结构.器件直流测试最大漏电流为2.1...
固体电子学研究与进展基本信息
| 刊名 | 固体电子学研究与进展 | 主编 | 杨乃彬 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-3819 | CN | 32-1110/TN |
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | gtdz@chinajournal.net.cn |
| 电话 | 025-86858161 | 网址 | |
| 地址 | 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号） |
固体电子学研究与进展评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国期刊方阵 |
| 2. | 信息产业部2001-2002年优秀期刊 |
| 3. | 双效期刊 |
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