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固体电子学研究与进展期刊
出版文献量（篇）
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9851

固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM... 更多
主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）
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2483
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  • 1. 多结太阳电池辐射损伤的电致发光研究
    作者： 任迪远 刘刚 戴康 牛振红 郭旗 高嵩
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  1-3
    摘要： 建立了电致发光测试方法,对一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池1MeV电子辐照后各子电池的辐照特性进行了研究,并与光谱响应结果进行了比较.讨论了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电...
  • 2. InGaN:Mg薄膜的电学特性研究
    作者： 刘建平 沈光地 牛南辉 王怀兵 邓军 邢燕辉 韩军
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  4-7
    摘要： 利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响.结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高.在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增...
  • 3. p型重掺杂应变Si1-xGex层中少子常温和低温行为
    作者： 吴靓臻 唐吉玉 孔蕴婷 文于华 肖海霞 赵传阵
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  8-11
    摘要： 采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增加而增大,其增加的速度越来越快;在同一Ge组分下,少子浓度随掺...
  • 4. PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究
    作者： 毕津顺 海潮和
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  12-15
    摘要： 提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件,并讨论了相应的工艺技术和工作机理.采用体源连接环形栅器件结构,有效地抑制了浮体环形栅器件中存在的浮体效应和寄生双极晶体管效应,使...
  • 5. 双势垒隧道发光结的结构特点及其性能分析
    作者： 俞建华 孙承休 张佑文 王茂祥 聂丽程
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  16-19
    摘要： 成功地制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au及Si-SiO2-Al-Al2O3-Au两种结构双势垒隧道发光结.由于双势垒结中第二栅存在着不同的分立能级,电子存在共振隧穿效应, 使双势垒隧道结...
  • 6. 高压功率快恢复二极管的寿命控制研究
    作者： 亢宝位 胡冬青 谢书珊
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  20-23,32
    摘要： 利用质子辐照感生的空位缺陷对铂原子的汲取作用,获得了局域寿命控制,辅以能量为4MeV电子辐照整体寿命控制技术,在具有低阳极发射效率结构的高压功率快恢复二极管中实现了更好的综合性能的优化.测试...
  • 7. GaN基HEMT电流崩塌现象相关的表面陷阱效应
    作者： 于奇 卢盛辉 周伟 夏建新 杜江锋 杨谟华 罗谦
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  24-28,37
    摘要： 采用脉冲测试方法研究了与GaN基HEMT电流崩塌相关的表面陷阱效应.对特制的无台面器件进行的实验证实了表面陷阱之间存在输运过程.数据表明,当栅应力持续时间足够长时,被充电的表面陷阱会达到某种...
  • 8. Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管研制
    作者： 张发生 李欣然
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  29-32
    摘要： 采用微电子平面工艺,高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,二级场限环终端表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD).I-V特性测量说明,Ni/4H-SiC ...
  • 9. 4H-SiC MESFET的新型经验电容模型
    作者： 吕红亮 张义门 张玉明 曹全君 汤晓燕 王悦湖
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  33-37
    摘要： 基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型.模型参数提取采用Levenberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义.C-V特性...
  • 10. 4H-SiC欧姆接触与测试方法研究
    作者： 李哲阳 柏松 陈刚 韩平
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  38-41
    摘要： 主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件.通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC...
  • 11. Ni基n型SiC材料的欧姆接触机理及模型研究
    作者： 吕红亮 张义门 张玉明 郭辉
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  42-45
    摘要： 研究了Ni基n型SiC材料的欧姆接触的形成机理,认为合金化退火过程中形成的C空位(Vc)而导致的高载流子浓度层对欧姆接触的形成起了关键作用.给出了欧姆接触的能带结构图,提出比接触电阻ρC由ρ...
  • 12. 60 GHz宽带无线通信射频芯片研究进展
    作者： 孙晓玮 林水洋
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  46-51
    摘要： 60 GHz无线通信技术由于其超高速的数据传输能力,将成为第4代无线通信技术的代表,引发了学术界和工业界研究热潮.近几年,随着半导体技术的发展,基于不同工艺的60 GHz宽带无线通信射频芯片...
  • 13. 一种新的平面回音壁模蓝宝石谐振器模型
    作者： 孙忠良 杨非 齐宁华
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  52-56
    摘要： 基于环状谐振器传输线法(Transmission-line ring resonator)分析建立了单端口和双端口回音壁模平面蓝宝石介质谐振器模型,分别得到了对应的传输公式.并设计制作了一个...
  • 14. 基波平衡原理的推广
    作者： 陈辰 韦善革 黄炳华 黎彬
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  57-62
    摘要： 注入网络的基波电流is1=0.则可由Gi(Um,ωs)=0和Bi(Um,ωs)=0求出基波解的频率和幅值(ωs,Um).如果有n对合理的正实数(ωsi,Umi,i=1,2,3…n≠∞),同时...
  • 15. Ka波段单平衡混频器的集成设计
    作者： 张斌 杨乃彬 王亮 费元春
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  63-65,99
    摘要： 结合0.25 μm PHEMT工艺线提供的模型,采用Agilent ADS软件设计了Ka波段单平衡混频器,并且在南京电子器件研究所的GaAs工艺线进行了流片生产.经测量,当射频频率为34.1...
  • 16. 基于EPC Class0协议无源电子标签射频前端设计
    作者： 周玉梅 李力南 沈红伟
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  66-69,86
    摘要： 分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC Class0协议,提出电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、稳压源、能量开启、脉宽解调、反向调制、振荡器、时钟校准等部分.采用Char...
  • 17. VGA增益控制特性自动测试系统设计
    作者： 吴建辉 黄成
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  70-74
    摘要： 利用GPIB总线,设计了高频全差分VGA增益控制特性的自动测试系统.首先分析了基于巴伦的全差分VGA增益测试系统的测试误差,然后利用计算机控制被测VGA和仪器,实现了增益控制特性的自动测试,...
  • 18. 8～18 GHz微波低噪声放大器的设计与实现
    作者： 何庆国 李振国 王安国 董建明 郭文椹
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  75-80
    摘要： 采用平衡式结构设计了微波宽带低噪声放大器,测试结果:在频率为8～18 GHz的宽带内增益大于30 dB,增益平坦度小于3 dB,噪声系数小于2.0 dB,输入输出驻波比小于2.5,1 dB压...
  • 19. L波段3kW固态功率放大组件
    作者： 王新 高玉良
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  81-86
    摘要： 设计了一种工作在L波段,带宽为100 MHz,占空比为8%,脉冲宽度为100 μs的3 kW固态功率放大组件.组件采用两级放大,末级采用低插损的Wilkinson合成器合并4个850 W高功...
  • 20. p-InGaN与Ni/Au的欧姆接触特性研究
    作者： 林巧明 梁庭 沈光地 郭晶 郭霞 顾晓玲
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  87-90
    摘要： 通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN层的厚度小于某一特定值时,其比接触电阻低...
  • 21. 隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究
    作者： 刘斌 崔碧峰 张蕾 沈光地 王智群 郭伟玲
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  91-94
    摘要： 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型.利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程. 模拟结果表明,芯片达到平衡前的热弛豫积累时...
  • 22. 用于SDH STM-64光发射机的GaAs PHEMT激光驱动器
    作者： 李文渊 王志功
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  95-99
    摘要： 介绍了用于SDH系统 STM-64速率光发射机用的激光二极管/光调制器驱动器集成电路的设计.电路采用法国OMMiC公司的0.2μm GaAs PHEMTs工艺设计并制造,可以驱动激光二极管和...
  • 23. 一种采用数字激励测试的MASH结构ΣΔ模数转换器
    作者： 孙烨辉 曹政新 李奇 熊绍珍 胡平 许长喜
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  100-104
    摘要： 介绍了一种采用数字激励源测试的MASH(MultistAge noise SHaping) 2-2结构ΣΔ模数转换器.为了简化测试过程,降低测试成本,该模数转换器加入辅助测试电路,无需高精度...
  • 24. 一种非带隙结构基准源的设计及特性分析
    作者： 严伟 周锋 李舜 陈华
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  105-108,113
    摘要： 设计了一种非带隙结构的电压基准源,并对该基准源作了电源抑制特性的理论分析.这一设计在Charted 0.35μm CMOS工艺条件下流片实现,在3～110℃的温度范围内测试结果达到了17.4...
  • 25. 一种具有省电模式CMOS振荡器电路
    作者： 刘毅 张永泊 朱樟明 杨银堂
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  109-113
    摘要： 提出了一种适用于电源转换芯片的具有省电模式的CMOS振荡器电路,其特有的变频模式和间歇模式可以有效降低整个电源系统在轻载与空载时的功率损失, 使得整个系统能随负载的变轻而线性降低开关频率,并...
  • 26. 一种适用于GSM/WCDMA的中频滤波器
    作者： 任俊彦 周竹瑾 李宁 苏彦锋
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  114-118,123
    摘要： 采用SMIC 0.35μm CMOS混合信号工艺,实现了同时适用于GSM/WCDMA的四阶有源RC低通中频滤波器(LPF).该LPF具有高线性度,同时满足GSM和WCDMA的带宽性能,并且在...
  • 27. 数字电视调谐器中低噪声LC VCO的设计
    作者： 吴建辉 孙文 李壤中
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  119-123
    摘要： 给出了基于0.25 μm CMOS 工艺的数字电视调谐芯片中宽带低噪声LC VCO的设计,通过对VCO谐振网络的优化设计,显著抑制了flick噪声对相位噪声的影响,使三个波段的VCO的相位噪...
  • 28. 一种高精度低温漂的基准电压源的分析与设计
    作者： 夏晓娟 孙伟锋 谢亮
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  124-128
    摘要： 设计了一种CMOS基准电压源结构,具有高精度、低温漂的特点.它利用带隙基准的基本原理,结合自偏置结构以及适当的启动电路,获得了相对稳定的电压值以及较好的温度系数.此基准结构已经在标准的0.6...
  • 29. 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺Colpitts振荡器分析与设计
    作者： 李智群 王志功 郭雪锋
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  129-132,157
    摘要： 应用标准0.35 μm SiGe BiCMOS工艺设计Colpitts压控振荡器.采用开环S参数计算电路指标,计算结果与测量结果符合较好.测量结果表明,在3.3 V电源电压下,压控振荡器的频...
  • 30. 深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究
    作者： 冯松 杨媛 高勇
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  133-137
    摘要： 基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法.该方法计算量小,参数提取效率高,不需要进行繁琐的器件数学建模,...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）

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