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固体电子学研究与进展2010年出版文献
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
总被引数（次）
9851
固体电子学研究与进展
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本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM...
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主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵
信息产业部2001-2002年优秀期刊
双效期刊
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
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9851
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1. 氮化镓功率半导体器件技术刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景.随着GaN技...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： InAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料.对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 在RTD的I-V特性测量过程中,有时在负阻区出现V_P>V_V的情况,一般称为表观正阻(APR)现象.通过RTD/RS锁定电路负载线分析,证实APR起源于RTD串联电阻非本征双稳态迴线.
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n~+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 以对比的形式用GUMMEL对称测试电路的模拟结果检验了伯克利大学的BSIM4和北京大学的ULTRA-BULK两个CMOS器件模型的对称性和连续性特性.SPICE模拟结果表明: 工业标准模型B...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 提出一种应变Si/SiGe UMOSFET结构,并与Si-UMOSFET器件的电流-电压特性进行比较;对SiGe区域在UMOSFET器件中的不同厚度值进行静态电学仿真.应变Si/SiGe异质...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 合作制备了体硅0.6 μm工艺直栅和环栅不同设计结构的MOS器件,开展了稳态高剂量率电离辐射总剂量效应试验.通过对实验数据进行分析,研究当器件特征尺寸达到亚微米、深亚微米时,不同设计结构、不...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 提出了一种耐压技术--横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种高压器件结构--变厚度漂移区SOI横向高压器件,借助二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理.结果表明,变厚度漂...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 研究了低能电子束辐照对发光二极管(Light emitting diode, LED)发光性能的影响.利用实验室加速器提供的电子束模拟空间电子辐射,分别对发不同颜色的光的LED进行不同剂量的...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 应用电子束直写技术成功制作了栅长0.15 μm的高性能In_(0.52)A_(10.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As GaAs MHEMT.从工艺角度,结合器件的小信号等...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 采用南京电子器件研究所4英0.25 μm GaAs PHEMT工艺技术,设计、制作Ku波段GaAs MMIC六位数控移相器芯片,芯片尺寸为3 mm×1.1 mm×0.1 mm.在15～17...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 介绍了一种采用砷化镓HBT工艺实现的数字静态除8高速预分频器.该预分频器采用D触发器高速分频和多级供电驱动电路结构.测试结果表明,最高工作频率达到18GHz.预分频器芯片在5V的电源电压下的...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 基于雪崩三极管的脉冲源具有稳定度高、脉冲窄、上升时间短等优点,分析了雪崩三极管脉冲源稳定度的影响因素.采用适当的优化措施提高了稳定度指标,设计了高稳定度的雪崩三极管脉冲源,脉冲峰值电压1 5...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的砷化镓MMIC单片六位数字控制衰减器,具有衰减精度准确、承受功率大、线性度高等特点,并且集成了驱动器,使得...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 以毫米波段MEMS移相器为研究对象,提出一种直接面向设计参数的建模方法.该方法直接选取分布式RF MEMS移相器的关键设计参数作为建模目标,通过HFSS仿真获得人工神经网络建模的样本数据,并...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 设计了一种Ka波段11.25°数字移相器.采用一前一后加载支线的方式,在Ka波段内研制出11.25°数字移相器.该移相器在30～31 GHz工作频带内,驻波比小于1.65,插入损耗小于3dB...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 基于电容调谐无尾电流源互补-Gm VCO,提出了一种新的宽带VCO功耗优化的方法.通过改变四个累积型可变电容(AMOS)的偏置电压实现对电容调谐曲线补偿,使频率调谐曲线在整个控制电压范围内接...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 设计了一款工作在2.4 GHz的可变增益CMOS低噪声放大器,电路采用HJKJ 0.18 μm CMOS工艺实现.测试结果表明,最高增益为11.5 dB,此时电路的噪声系数小于3 dB,增益...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 从求解Maxwell方程本征值出发,采用MATLAB中PDE工具箱,借助可二维作图的开槽圆柱谐振器,计算出有孔圆柱介质谐振器的谐振频率.求解结果与矢量网络分析仪测量结果吻合,误差在千分之四以...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 采用冲激不变法把z域环路滤波器变换到s域,并对连续时间型ΣΔ调制器设计中的非理想因素进行系统级建模和仿真.基于低功耗设计考虑,调制器采用有源-无源混合型环路滤波器,并通过离散时间微分技术移除...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 提出了一种基于0.5 μm 5 V CMOS工艺的低噪声PWM调制 D类音频功率放大器.该放大器在5 V电源电压下以全桥方式可以驱动4 Ω负载输出2.5 W功率;转换效率等于87%,信噪比达...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 设计了一个20 MHz采样率,10 bit精度流水线模数转换器.采用新颖的栅压自举开关,使电路在输入信号频率很高时仍具有良好的动态性能;用MATLAB仿真增益增强型运算放大器在不同反馈因子下...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 设计了一个采用0.18 μm 1.8 V/3.3 V CMOS工艺制造的千兆比特数据率LVDS I/O 接口电路.发送器电路采用内部参考电流源和片上匹配电阻,使工艺偏差、温度变化对输出信号幅...
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25. 锁相环中电荷泵的分析与设计刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 用SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计了一种改进型电荷泵电路.该电路基本思想是使用电流参考支路和运放来实现充放电电流的高度匹配,改进则基于重复利用运放的考虑.传统结构为了消除电荷共享效...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 提出了一种应用于PWM 降压型 DC-DC变换器的高性能误差放大器.该误差放大器采用反馈结构,具有较大的动态范围,并可消除噪声影响,从而显著减小了DC-DC电源的纹波电压.另外,采用该误差放...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 设计了一种用于LED驱动的高效1.33X/1.5X/2X电荷泵电路,可以根据输出电压的变化,自适应地切换工作模式.以提高电荷泵的转换效率为切入点,从降低电荷泵升压倍数和减小电荷泵自身功耗两个...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 基于恒压式电荷平衡压控振荡器技术,设计了一种用于高精度跟踪型RDC的VCO.结合RDC系统自身的特性,完成了时序控制电路及器件参数的详细设计,实现了一种具有高线性度(<0.25%)、压控增益...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 采用高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,离子注入形成结终端扩展表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD).I-V特性测量说明,Ni/4H-SiC SBD有...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 基态施主能级分裂因素被引入了SiC基MOS电容模型.考虑到能级分裂后,电容C-V特性曲线平带附近的Kink效应,得到有效减弱;并且能级分裂对C-V特性的影响,随掺杂浓度的增加和温度的降低而增...
固体电子学研究与进展基本信息
| 刊名 | 固体电子学研究与进展 | 主编 | 杨乃彬 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-3819 | CN | 32-1110/TN |
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | gtdz@chinajournal.net.cn |
| 电话 | 025-86858161 | 网址 | |
| 地址 | 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号） |
固体电子学研究与进展评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国期刊方阵 |
| 2. | 信息产业部2001-2002年优秀期刊 |
| 3. | 双效期刊 |
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