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固体电子学研究与进展2010年出版文献
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
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总被引数（次）
9851
固体电子学研究与进展
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本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM...
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主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵
信息产业部2001-2002年优秀期刊
双效期刊
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
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9851
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61. GaN基功率LED高低温特性研究刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 首次对自制的GaN基大功率白光和蓝光发光二极管在-30～100℃的温度下进行了在线的光电特性测试,对两种不同LED的正向电压、相对光强、波长、色温等参数随温度变化的关系进行了数据曲线拟合,对...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 通过对不同驱动电流下各种颜色LED结温和热阻测量,发现各种颜色LED的热阻值均随驱动电流的增加而变大,其中基于InGaN材料的蓝光和白光LED工作在小于额定电流下时,热阻上升迅速;驱动电流大...
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63. 电迁移引起的倒装芯片互连失效刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化.在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗...
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64. InP基RTD特性的数值模拟研究刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green's function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 基于介质电场增强ENDIF理论,提出了一种薄硅层阶梯埋氧型部分SOI(SBPSOI)高压器件结构.埋氧层阶梯处所引入的电荷不仅增强了埋层介质电场,而且对有源层中的电场进行调制,使电场优化分布...
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67. 超结硅锗功率二极管电学特性的研究刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 超结SiGe功率开关二极管可以克服常规Si功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降也将增大,反向恢复时间也变长.该新型功率二极管有两个重要特点:一是由轻掺杂的P型柱和n型...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 制备了含TaON界面层的Hf基氧化物和氮氧化物叠层高κ栅介质Ge MOS电容.器件的测量结果表明,HfTaON/TaON叠层栅介质Ge MOS电容表现出良好的界面特性、低的栅极漏电流密度、小...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用线性组合算符和幺正变换方法研究了非对称量子点中强耦合磁极化子的性质.导出了非对称量子点中强耦合磁极化子的振动频率和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度、磁场的回旋频率和电子-声子耦...
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70. 双量子环的隧穿电导和隧穿磁电阻刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 研究了双量子环的隧穿电导和隧穿磁电阻,研究结果表明:隧穿电导和隧穿磁电阻都随半导体环增大做周期性等幅振荡.δ势垒、Rashba自旋轨道耦合、AB磁通对隧穿电导或隧穿磁电阻的影响各不相同.隧穿...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 单行载流子光电二极管与共振隧穿二极管单片集成器件是一种新型高速光电探测器,也是高速光电单稳双稳转换逻辑电路的一个基本单元.用Atlas软件对该集成电路单元进行了直流和交流特性的模拟研究,模拟...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： GaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处.介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs HEMT在平行于HEMT生长方向(Z方向)...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 研究了GaAs HBT高能电子(～1 MeV)辐照的总剂量效应.结果表明,电子辐照后GaAs HBT的基极电流增大,辐照损伤程度随辐照总剂量增加而增加,这和其他研究观察到的现象相同.所不同的...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 利用应变Si1-xGex技术提高空穴迁移率是当前国内外关注的研究领域和研究发展重点.基于KP理论框架,研究获得了应变Si1-xGex/(001)Si材料沿不同晶向及各向同性空穴有效质量.结果...
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76. LDMOSFET电热耦合解析模型刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型--Agere electro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 微流体在压电基片上输运往往偏离声表面波传播方向,尤其是当压电基片表面疏水层不很均匀时,给微流体诸如混合等操作带来不便.在128°旋转Y切割X传播方向的LiNbO3基片上研制了集成有聚二甲基硅...
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78. U波段小数分频锁相环型频率综合器刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 使用0.18 μm 1.8 V CMOS工艺实现了U波段小数分频锁相环型频率综合器,除压控振荡器(VCO)的调谐电感和锁相环路的无源滤波器外,其他模块都集成在片内.锁相环采用了带有开关电容阵...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 重点分析了环路延迟对锁相环稳定性和输出信号抖动性能的影响,提出了一个简单的优化设计方法.用90 nm CMOS工艺设计实现了一个基于自偏置技术的时钟锁相环,锁相环可以在很宽的输入频率范围内输...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 设计了一种基于低温共烧陶瓷技术带状线形式的Ka波段带通滤波器,该滤波器被埋入11层的基板中.提出一种类同轴结构来减小共面波导到带状线转换之间的阻抗不连续性.整个带状线滤波器采用了金属直通孔来...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用SMIC 0.13 μm RF CMOS工艺设计,并实现了应用于无线传感网络的2.4 GHz差分低功耗低噪声放大器.在低功耗约束下,电路采用差分共源共栅源极退化电感结构.考虑了ESD保护...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用0.18 μm CMOS工艺设计并制作了一款应用于便携式UHF RFID阅读器的射频发射前端电路.所设计的有源I/Q上混频器通过开关控制Q支路的信号输入,实现了EPC Global Cl...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用0.18 μm RF CMOS工艺结合EPC C1 G2协议和ETSI规范要求,实现了一种应用于CMOS超高频射频识别阅读器中的低噪声△Σ小数频率综合器.基于三位三阶误差反馈型△∑解调器...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 基于SMIC 0.13 μmCMOS 1P6M Logic工艺,采用一种新型R-C组合式D/A转换结构、伪差分比较结构以及低功耗电平转换结构设计了一种用于多电源SoC的10位8通道逐次逼近型...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 论述了基于分形IP核的平板显示(FPD)控制器的设计与工程实现,所设计的分形扫描控制器可用于LED、OLED、TFT-LCD等平板显示器;平板显示系统由多媒体视频显示卡、以太网视频发送卡、分...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 设计并验证了一款高动态范围、多种可选功能的32×32红外读出电路.电路在30 μm×30μm像元面积内集成了CTIA积分器、采保电路、缓冲器、反饱和功能等,实现了快照式读出.通过积分电容可选...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 提出了一种新颖的带有数字控制的带隙基准电压源,此带隙基准电压源通过控制PNP晶体管的导通来实现可调的输出参考电压和可调的温度系数.此电路通过数字信号控制获得了一组不同的温度曲线,从这组温度曲...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 对一种适用于106.68 cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究.通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数.HV-PM...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 提出了一种可应用于白光LED驱动芯片的ix/1.25x/1.5x/2x四模式电荷泵电路,采用三相开关时钟信号,从而获得四种电压转换模式,使用CSMC 0.5 μm 工艺流片,分别对基于典型三...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用SMIC 0.18 μm 3.3 V CMOS工艺,实现了单相电源Ⅰ类线性音频功放的设计.为了提高AB类功放的效率,设计了一种新型结构的Ⅰ类线性音频功放,并理论推导了它的效率.Ⅰ类音频放...
固体电子学研究与进展基本信息
| 刊名 | 固体电子学研究与进展 | 主编 | 杨乃彬 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-3819 | CN | 32-1110/TN |
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | gtdz@chinajournal.net.cn |
| 电话 | 025-86858161 | 网址 | |
| 地址 | 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号） |
固体电子学研究与进展评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国期刊方阵 |
| 2. | 信息产业部2001-2002年优秀期刊 |
| 3. | 双效期刊 |
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