一种基于微结构的GaAs HEMT的压阻系数

• 作者: 侯婷婷 刘俊 刘国文 张斌珍 薛晨阳 谭振新 贾晓娟
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓高电子迁移率晶体管 力电耦合 压阻系数
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 358-361
• 分类号: TN386
• 字数: 1613字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2010.03.010

摘要

GaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处.介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs HEMT在平行于HEMT生长方向(Z方向)单轴应力作用下的力电耦合特性.测试结果表明:GaAs HEMT不同偏压下压阻系数不同,且它的最大压阻系数为(1.72±0.33)×10-7Pa-1,比Si高出三个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘俊	中北大学电子测试技术国家重点实验室	181	1162	17.0	24.0
2	薛晨阳	中北大学电子测试技术国家重点实验室	136	765	14.0	21.0
3	张斌珍	中北大学电子测试技术国家重点实验室	107	535	12.0	18.0
4	刘国文	中北大学电子测试技术国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
5	谭振新	中北大学电子测试技术国家重点实验室	3	7	2.0	2.0
6	侯婷婷	中北大学电子测试技术国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
7	贾晓娟	中北大学电子测试技术国家重点实验室	2	7	2.0	2.0