深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究

• 作者: 冯松 杨媛 高勇
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米 绝缘体上硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 参数提取
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 硅微电子学
• 页码范围: 133-137
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3210字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2008.01.030

摘要

基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法.该方法计算量小,参数提取效率高,不需要进行繁琐的器件数学建模,易于推广.将该方法提出的模型参数代入HSPICE进行仿真,模拟结果与实验数据相吻合,证明了这种方法的有效性和实用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	杨媛	西安理工大学电子工程系	92	559	12.0	19.0
3	冯松	西安理工大学电子工程系	7	13	2.0	3.0