固体电子学研究与进展期刊
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固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊,向国内外公开发行。国内统一刊号:CN32-1110/TN,国际统一刊号:ISSN1000-3819,主编:林金庭,地址:南京市中山东路524号,邮编:210016,电话:4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEM... 更多
主办单位:
南京电子器件研究所
期刊荣誉:
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN:
1000-3819
CN:
32-1110/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
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2483
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  • 作者: 杨兵 柯逸辰 梁海莲 顾晓峰 高国平
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  446-450
    摘要: 基于双极晶体管(BJT)结构的静电放电(ESD)保护器件具有双向导通特性和良好的保护性能,在ESD保护中应用广泛.鉴于该类器件在负阻效应下维持电压的产生机理和建模方面的研究较少,提出了一种维...
  • 作者: 刘海浪 张瑞宾 彭治国 蔡卓康 黄以平
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  451-455
    摘要: 针对电子束辐照损伤效应对大功率LED寿命退化影响的问题提出了空间辐射环境的地面等效模拟试验方法,应用电子束辐照加速器对大功率LED进行了不同参数的辐照实验,并利用蒙特卡洛模拟方法研究了电子束...
  • 作者: 刘米丰 徐德辉 熊斌 王跃林
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  456-462
    摘要: 在低阻硅(1~10 Ω·cm)衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2 mm、结构尺寸为ω/s=40/60 μm间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导.SEM照片显示器件释放后的悬浮结构未...
  • 作者: 尹洪浩 左同生 戴永胜 谢秋月 韩群飞
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  463-466
    摘要: 设计了一款中心频率为244 MHz的超短波带通滤波器,该滤波器是基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术实现.由于滤波器频率较低,波长较长,为了使其体积较小,结构也相对简单,在设计中采用半集总半分布...
  • 作者: 刘冬华 段文婷 石晶 胡君 钱文生 陈帆 陈雄斌 黄景丰
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  467-471
    摘要: 报告了0.18 μm高速N型锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构和制作工艺.分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性,其截止频率为110 GHz,击穿电压为1.8V,电流增益...
  • 作者: 刘安玲 胡锦 郝明丽 陶可欣
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  472-476,488
    摘要: 基于0.13 μm SiGe HBT工艺,设计了一款应用于WLAN、WIFI以及蓝牙等应用领域的射频功率放大器.该功率放大器带有基极镇流电阻,增强了热稳定性和交流稳定性,工作在AB类状态,由...
  • 作者: 张世林 张艳征 毛陆虹 谢生 门春雷
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  477-482,492
    摘要: 提出了一种利用标准0.18 μm CMOS工艺实现的单芯片UHF阅读器的发射机.为了实现低成本和全集成的目标,采用了直接上变频结构,主要模块包括截止频率为125 kHz的脉冲整形滤波器,DS...
  • 作者: 吴琦 张成 彭仁国 谈熙 闵昊
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  483-488
    摘要: 通过对SMIC 0.13 μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82~4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化、差分调谐宽带电感电容压控振荡器(LC...
  • 作者: 张华 梅亮 王继财
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  489-492
    摘要: 提出了一种共面波导交指慢波延迟线的设计,介绍了慢波延迟线工作原理,利用电磁仿真软件优化得到了延迟线的各项参数.该延迟线工作在x波段,具有中心频率7λ(约700 ps)的延迟,延迟线的插入损耗...
  • 作者: 吴毅强 廖昆明 王瑞峰 陈力
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  493-496
    摘要: 论述了一种无损快速的测量物质复介电常数的微波方法,采用终端开口波导与待测物质表面直接接触测量复反射系数,利用matlab建立可视化操作界面,使用标准样品得到多项式函数的拟合系数,直接在操作界...
  • 作者: 李海希 王磊
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  497-501,505
    摘要: 介绍了一种时间常数高达31.83 s的全集成积分器.该积分器采用电流舵技术,具有调节范围广、线性失真小的优点.基于此积分器,本文设计出全集成0.005Hz的高通滤波器,并通过SMIC 0.1...
  • 作者: 庞学满 戴洲 曹坤 王子良
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  502-505
    摘要: 研究了低损耗陶瓷配方以及工艺技术,采用超细高纯Al2O3粉,并通过液相金属盐沉淀包覆法,将烧结添加剂MgO均匀添加到Al2O3粉中,然后采用特殊二次烧结工艺,控制陶瓷材料的显微结构,提高陶瓷...
  • 作者: 戴雷 王子良 程凯
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  506-509
    摘要: 开展Ferro金银混合导体LTCC技术研究,通过解决填孔、烧结等工艺存在的问题,实现基于金银混合导体的LTCC微波多层陶瓷基板的制备,有效地降低LTCC产品的研制生产成本.对混合导体LTCC...
  • 作者: 吴佳宏 屈新萍
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  510-515
    摘要: 通过溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备Mg-In-Zn-O (MIZO)透明氧化物半导体薄膜,并制备了MIZO肖特基源漏薄膜晶体管.实验结果表明,制备的MIZO薄膜呈现非晶态,具有良好的...
  • 作者: 薛舫时
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  517-523,560
    摘要: 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化.发现异质结量子阱能把外电场屏蔽在异质界面以外.利用这种异质结量子阱的屏蔽效应,可以使外电场都降落在异质结...
  • 作者: 张波 张竞 汪志刚 陈万军 魏进
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  524-530
    摘要: 提出了一种能带调制模型,通过在异质结界面处引入负离子电荷(如氟离子)调制异质结处的局部能带分布,实现了对异质结界面处的高密度2DEG的改变.基于能带调制模型,提出了一种复合调制沟道AlGaN...
  • 作者: 张如亮 高勇 黄卫斌
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  531-535
    摘要: 引入沟槽结构,提出一种改进型注入效率可控门极换流晶闸管.新结构采用沟槽型阻挡结构代替阳极表面平面型氧化薄层,实现对基区漂移电子阻挡和积累作用,保持了注入效率自调整效应,减小了平面型氧化阻挡层...
  • 作者: 张旭琳 曹建民 贺威 黄思文
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  536-541
    摘要: 从二维模拟pMOS器件得到沟道空穴浓度和栅氧化层电场,用于计算负栅压偏置温度不稳定性NBTI(Negative bias temperature instability)效应的界面电荷的产生...
  • 作者: 徐波 林罡 耿涛 薛静 贾东铭 金毓铨 高建峰 黄念宁
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  542-547
    摘要: 采用恒定功耗高温加速的试验方法,搭建了相关的试验系统,对高温工作寿命试验(HTOL)方法在功率GaAs MMIC领域的应用进行了一些探索.试验获得了对失效机理进行分析所需的失效数,所有样品的...
  • 作者: 康耀辉 徐筱乐 陈辰 高建峰
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  548-550,589
    摘要: 应用电子束直写技术成功制作了栅长100 nm的高性能Ino.52Al0.48As/In0.53Gao.47As GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管).从工艺角度,结合器件的小信...
  • 作者: 冷永清 官劲 张立军 彭亚涛
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  551-555,609
    摘要: 提出了一种新型微带三频滤波器,滤波器由两个弯折并相互嵌套的分支线谐振器和一个T形谐振器组成.谐振器之间相互耦合,得到三通带频率响应特性.该滤波器可通过调节微带线几何参数改变通带位置以及带宽,...
  • 作者: 冯媛 尹洪浩 戴永胜
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  556-560
    摘要: 提出一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术实现的小型化平衡滤波器.该平衡滤波器频率范围为2.4~2.5 GHz,可广泛应用于蓝牙通讯系统.在设计时利用垂直通孔互连工艺技术将滤波器和巴伦进行互连...
  • 作者: 梁海莲 董树荣 韩雁 顾晓峰
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  561-564
    摘要: 设计并流片验证了一种0.18μm RF CMOS工艺的2.4 GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案.对于射频(RF) I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)...
  • 作者: 杨斌 林川 苑小林 高群
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  565-568
    摘要: 设计了一种全部采用国产芯片研制的小型化集成功放模块.该模块采用一种全新的结构模式,通过Lange耦合器将GaAs MMIC单片、单电源GaAs功率芯片和硅功率芯片混合集成,使得其体积比同等性...
  • 作者: 李建成 李松亭 王宏义 谷晓忱
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  569-574
    摘要: 提出了一种同时实现宽的带宽调谐范围和高的带宽频率精度的滤波器设计方法,克服了采用传统带宽校准方法设计滤波器时带宽调谐范围和精度相矛盾的弊端.设计方法通过计算机模拟验证和0.13μm CMOS...
  • 作者: 唐俊 李旺
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  575-578
    摘要: 分析了频率源中各个模块的噪声传递函数,确定影响近端噪声的模块分别是鉴频鉴相器_电荷泵(PFD_CP)、分频器;在默认分频器相位噪声为-158 dBc/Hz,通过matlab建模推断,需要PF...
  • 作者: 吴振海 张斌 曹敏华 郑华 陈金远 陶洪琪 高建峰
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  579-583
    摘要: 讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40 GHz.在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典...
  • 作者: 吴健 曹坤 杨磊 艾萱 郑远 钱峰 陈新宇
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  584-589
    摘要: 采用氮化铝多层布线技术,运用垂直过渡方式实现微波信号从基板底部到表面的信号传输,完成表贴式微波封装设计.在DC-18 GHz内,该表贴互连反射损耗小于-15 dB,插入损耗小于1.0dB.采...
  • 作者: 胡永才 高德远 高武 魏廷存
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  590-599
    摘要: 在过去的半个多世纪里,虽然正电子发射断层(PET)成像设备在外型上没有多大变化,但在技术和方法上发生了多次革命性的飞跃.微电子技术在PET成像领域的应用将进一步推动PET向更小体积、更高性能...
  • 作者: 夏晓娟
    发表期刊: 2012年6期
    页码:  600-603,615
    摘要: 提出了适用于电流模DC-DC转换器的低温漂高精度的电流感应电路,用MOS管线性电阻和负温度系数电阻一起组合来实现.所设计电路应用于一款DC-DC升压转换器中,并在CSMC 0.5μm工艺上进...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)

固体电子学研究与进展评价信息

期刊荣誉
1. 中国期刊方阵
2. 信息产业部2001-2002年优秀期刊
3. 双效期刊

固体电子学研究与进展统计分析

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