沟槽阻挡型阳极结构门极换流晶闸管特性研究

• 作者: 张如亮 高勇 黄卫斌
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 电力半导体 门极换流晶闸管 沟槽阻挡结构 注入效率
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 器件物理与器件模拟
• 页码范围: 531-535
• 页数: 5页
• 分类号: TN342+.4
• 字数: 2859字
• 语种: 中文

摘要

引入沟槽结构,提出一种改进型注入效率可控门极换流晶闸管.新结构采用沟槽型阻挡结构代替阳极表面平面型氧化薄层,实现对基区漂移电子阻挡和积累作用,保持了注入效率自调整效应,减小了平面型氧化阻挡层对阳极有效面积的影响.模拟结果表明,新结构器件实现了注入效率控制功能,增大了有效阳极接触面积并降低了通态压降；其沟槽宽度可调节注入效率和关断特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	张如亮	西安理工大学电子工程系	15	62	5.0	6.0
3	黄卫斌	西安理工大学电子工程系	1	1	1.0	1.0