2.82～4.04GHz CMOS差分调谐LC VCO的设计

• 作者: 吴琦 张成 彭仁国 谈熙 闵昊
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带压控振荡器 反型金属氧化物半导体电容 差分调谐 Kvco 相噪 子带频率间隔
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 射频与微波
• 页码范围: 483-488
• 分类号: TN432|TN492|TN752
• 字数: 3477字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2012.05.015

摘要

通过对SMIC 0.13 μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82～4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化、差分调谐宽带电感电容压控振荡器(LC VCO).测试结果显示,频率覆盖范围为2.82～4.04 GHz,子带间距变化从12～6.9 MHz,中心差分调谐增益从23～17 MHz/V,相位噪声在频偏1 MHz处为-113～-118 dBc/Hz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闵昊	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	108	1103	18.0	27.0
2	谈熙	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	19	80	5.0	8.0
3	张成	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	5	6	2.0	2.0
4	吴琦	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	3	1	1.0	1.0
5	彭仁国	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	1	1.0	1.0