Mg-In-Zn-O肖特基源漏薄膜晶体管的性能研究

• 作者: 吴佳宏 屈新萍
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 溶胶-凝胶法 MIZO薄膜 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 510-515
• 分类号: TN321.5
• 字数: 3894字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2012.05.021

摘要

通过溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备Mg-In-Zn-O (MIZO)透明氧化物半导体薄膜,并制备了MIZO肖特基源漏薄膜晶体管.实验结果表明,制备的MIZO薄膜呈现非晶态,具有良好的透过率.5％配比的MIZO具有较好的晶体管特性,其他Mg配比的MIZO薄膜晶体管性能随着Mg含量增加而变差.实验结果发现,由于先在氧化层上淀积金属源漏,使得器件受到较多界面态的影响,导致漏电流崩塌效应,漏电流随着漏电压的增大而略微变小,当改变金属的淀积顺序时,此效应得到改善.