高速NPN锗硅异质结双极晶体管的设计与制作

• 作者: 刘冬华 段文婷 石晶 胡君 钱文生 陈帆 陈雄斌 黄景丰
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 高速 锗硅异质结双极晶体管 截止频率
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 射频与微波
• 页码范围: 467-471
• 分类号: TN433|TN322|TM743
• 字数: 3421字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2012.05.012

摘要

报告了0.18 μm高速N型锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构和制作工艺.分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性,其截止频率为110 GHz,击穿电压为1.8V,电流增益为270.研究了集电区掺杂及锗硅碳外延基区的厚度与掺杂工艺条件对器件特性的影响,并给出最优化的工艺条件.