用异质结构控制GaN阴极电子发射

• 作者: 薛舫时
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体阴极 铝镓氮/氮化镓异质结中的屏蔽效应 阴极表面电势剪裁 偏压控制电子亲合势的阴极
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 器件物理与器件模拟
• 页码范围: 517-523,560
• 页数: 8页
• 分类号: TN386
• 字数: 6549字
• 语种: 中文

摘要

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化.发现异质结量子阱能把外电场屏蔽在异质界面以外.利用这种异质结量子阱的屏蔽效应,可以使外电场都降落在异质结表面来控制表面势.为了把表面电势剪裁成半导体阴极所需的陡直下降的电势结构,进一步深入研究了双势垒异质结的电场结构,发现外面的异质结能屏蔽里面异质结的势垒.利用这种双势垒异质结的屏蔽效应设计出可由偏压直接控制电子亲合势的异质结构,从而为半导体阴极开辟出一条新的研究途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛舫时	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	30	154	7.0	11.0