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固体电子学研究与进展2012年出版文献
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
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总被引数（次）
9851
固体电子学研究与进展
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本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM...
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主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵
信息产业部2001-2002年优秀期刊
双效期刊
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
出版文献量（篇）
2483
总下载数（次）
5
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9851
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61. 一种新型的双端加载宽带压控振荡器刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 基于某测试系统宽带本振的指标要求,设计了一种双端加载可变电容的宽带压控振荡器(VCO),采取负阻分析法对电路结构进行分析设计,采用ADS对电路进行仿真设计,并通过实物验证设计结果的真实性和有...
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62. 高压超结VDMOS结构设计刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结构参数,并利用仿真软件SILVACO对超结VDMOS的各个...
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63. 用于温度日志标签的两级唤醒单元刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 设计实现了一个独特的两级唤醒单元,该唤醒单元用于基于EPC C1G2空中接口协议的射频识别标签.该标签为半有源标签,在该单元支持下实现温度日志功能.设计经过SMIC 0.18 μm EE工艺...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： SOI NLIGBT中热载流子效应分别通过直流电压的应力测试、TCAD仿真和电荷泵测试三种方法进行了研究.其中,不同直流电压应力条件下测得的衬底电流Iaub和导通电阻Ron用来评估因热载流子...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 采用Huybrechts线性组合算符法和Lee-Low-Pines变分方法研究了极性半导体量子点中双极化子性质的温度依赖性,推导出了量子点中双极化子的LO声子平均数的表达式.数值计算结果表明...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)及其合金在双轴应变下的电子有效质量.对于GaN和AlN,张应变使电子有效质量增...
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67. 五结太阳能电池设计与模拟刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 设计了与太阳光谱更匹配的五结太阳能电池(Al )GaInP/AlGa (In) As/ (Ir)GaAs/GaInAsN/Ge,并首次应用APSYS软件对其电特性进行了模拟.与四结太阳能电池...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 详细分析了700V横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件瞬态失效机理的特性.研究表明触发器件寄生晶体管开启的失效功率不仅与器件内部温度有关,同时也与电场分布有关.器件温度影响寄生阱电阻...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 激励源诱导故障测试(SIFT)是一种新型的失效定位技术,可用于集成电路和分立器件中漏电、击穿、短路等失效点的定位及失效机理的分析.在介绍SIFT技术工作原理的基础上,利用该技术进行了六反相器...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 设计了一种新颖的伪垂直结构PNP晶体管.在锗硅BiCMOS工艺基础上,仅增加基区和集电区两道离子注入,以低成本工艺实现了优良的性能.晶体管电流增益在30以上,击穿电压大于7V,特征频率10 ...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 研究了0.18 μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 报道了一款采用0.15 μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ka波段功率放大器芯片.芯片采用四级放大拓扑结构,在29～32 GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25 dB,线性增益平坦度小...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果.该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4 GHz频带内,脉宽150μs,占空比...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计的3～20 GHz MMIC宽带行波低噪声放大器.在整个宽频带范围内实现了大于11.5 dB的功率增益,增益平坦度1.5dB,小于4.2d...
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75. 内置驱动器的砷化镓高隔离开关芯片刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点.产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/...
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76. 一种小型的三陷波UWB天线刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 设计了一种小型三陷渡平面超宽带天线,通过在天线的辐射贴片上加载U形缝隙、在接地板上开一对对称的L形缝隙和引入寄生条带,使得天线在3.2～3.6 GHz、3.7～4.3 GHz和5.3～6 G...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 基于0.6 μm CMOS混合信号工艺设计了一款高稳定度、宽电源电压范围的晶体振荡器芯片.该芯片片内集成具有优异频率响应的振荡器电容和反馈电阻,只需外接石英晶体即可提供高稳定时钟源.测试结果...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 提出了一种满足ISO/IEC 18000-6C标准的无源超高频RFID(射频识别)标签芯片的射频前端结构,该结构包括高效率电荷泵、解调器、调制器、阻抗匹配网络和ESD保护电路.电荷泵通过阈...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 扩展计数型模数变换器(ADC)结合了∑△调制器高精度和Nyquist速率ADC速度相对较快的优点,因而获得了广泛的重视.设计了一种13 bit的扩展计数型ADC,设计中采用了1.5 bit量...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 提出了一种创新的增益自举型C类反相器.这种C类反相器的两输入管大部分时间工作在亚阈值区,使其能够代替传统的运算放大器来实现低功耗.采用增益自举技术显著提高了C类反相器的直流增益,采用片上体偏...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 针对多模式(GSM/TD-SCDMA/WCDMA)无线发射机设计了一款可配置的4阶有源RC低通滤波器.滤波器的截止频率通过数字配置运放外围的无源器件进行改变,从而满足不同模式的带宽要求；同时...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 纳米TiO2薄膜的组成及结构在很大程度上影响着染料敏化太阳能电池的光电转化效率.从微观结构、复合结构、掺杂、表面处理四方面综述了染料敏化太阳能电池中纳米TiO2薄膜的最新研究成果,探讨了如何...
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83. 征稿启事刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年4期页码:摘要：
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84. 半导体异质结中的实空间转移刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 实空间转移的机理不同于k空间转移,因而受到了广泛关注.实空间转移效应的器件是一种新型的半导体器件,有众多其它器件达不到的优点,如响应时间可达到ps级别、可以实现负阻效应等.为深入的理解半导体...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 通过商用半导体模拟器MEDICI对700 V 4H-SiC晶闸管开通特性进行了模拟研究.模拟结果表明阳极电压小于100 V时,开通过程符合扩散模型,电压更高时,开通时间随阳极电压升高而迅速下...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 基于对复能带结构的考虑,给出了扶手椅型石墨烯纳米带场效应管的量子输运计算结果,并比较了ID-VG曲线所给出的最小泄漏电流值与ID-VD曲线所给出的开电流值.对于纳米尺度下的石墨烯纳米带场效应...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 对单光子雪崩二极管的雪崩建立与淬灭理论模型进行改进,使雪崩击穿过程中载流子数目能反映雪崩的特点,进而使其理论模型中的负载电阻值与实验所使用的阻值更加接近.通过对载流子增加方式及数量统计的改进...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 利用量子波导理论研究内切旋转环介观结构中的电子输运性质.结果表明了内切旋转环中的电子透射几率不仅与外环的半径有关,而且与旋转环的旋转角度有关,说明要调制电子的透射几率可以通过调节旋转环的旋转...
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89. 极性晶体膜量子比特及其声子效应刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 采用Peaker变分法,研究极性晶体膜中量子比特及其声子效应.晶体膜中这样的二能级体系可作为一个量子比特.当膜中电子处于基态和第一激发态的叠加态时,电子的概率密度在空间作周期性震荡,得出了振...
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刊名： 固体电子学研究与进展发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 采用MgF2/CdTe作为一维光子晶体的结构,并引入了缺陷层ZnS,利用传输矩阵法,分别分析了电磁波在这两种结构中的带隙结构,并分析了各种参量对带隙的影响,研究了其规律.计算结果表明:MgF...
固体电子学研究与进展基本信息
| 刊名 | 固体电子学研究与进展 | 主编 | 杨乃彬 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 南京电子器件研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-3819 | CN | 32-1110/TN |
| 邮编 | 210016 | 电子邮箱 | gtdz@chinajournal.net.cn |
| 电话 | 025-86858161 | 网址 | |
| 地址 | 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号） |
固体电子学研究与进展评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国期刊方阵 |
| 2. | 信息产业部2001-2002年优秀期刊 |
| 3. | 双效期刊 |
固体电子学研究与进展统计分析
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