SOI NLIGBT热载流子效应研究

• 作者: 吴焕挺 张世峰 张炜 韩雁
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管 热载流子效应 碰撞离化率 电荷泵 界面态 氧化层陷阱空穴
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 器件物理与器件模拟
• 页码范围: 309-313,317
• 分类号: TN386.2
• 字数: 3079字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2012.04.001

摘要

SOI NLIGBT中热载流子效应分别通过直流电压的应力测试、TCAD仿真和电荷泵测试三种方法进行了研究.其中,不同直流电压应力条件下测得的衬底电流Iaub和导通电阻Ron用来评估因热载流子效应引起的器件退化程度.为了进行理论分析,对器件内部的电场强度和碰撞离化率也进行了仿真.测试得到的电荷泵电流直接验证了器件表面的损伤程度.最后讨论了SOI LIGBT在不同栅压条件下的退化机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张炜	浙江大学微电子与光电子研究所	72	529	11.0	22.0
2	韩雁	浙江大学微电子与光电子研究所	62	299	9.0	15.0
3	张世峰	浙江大学微电子与光电子研究所	6	12	2.0	3.0
4	吴焕挺	浙江大学微电子与光电子研究所	1	2	1.0	1.0