SiGe BiCMOS工艺中HBT的关键制造工艺研究

• 作者: 刘鹏 季伟 王雷 肖胜安 钱文生 陈帆
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅双极-互补金属氧化物半导体 锗硅异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 射频与微波
• 页码范围: 346-350,385
• 分类号: TN47|TN322
• 字数: 3891字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2012.04.008

摘要

研究了0.18 μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工艺的难点和问题,提出了解决办法,并报导了解决相关难题的实验结果.