内置驱动器的砷化镓高隔离开关芯片

• 作者: 应海涛 张有涛 李娜 李小鹏 杨磊 许正荣
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 增强型 耗尽型 射频开关 赝配高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 射频与微波
• 页码范围: 365-369
• 分类号: TN386
• 字数: 1971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2012.04.012

摘要

采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点.产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并做了相应的静电防护设计.测试结果表明,在0.01～5.o GHz带内,插入损耗≤1.2 dB@3 GHz、≤1.6 dB@5 GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,隔离度≥60 dB@3 GHz、≥52 dB@5 GHz,1dB压缩功率点达到了30 dBm,IP3超过了+-52 dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张有涛		19	40	4.0	5.0
3	许正荣		2	6	2.0	2.0
4	杨磊		12	17	2.0	4.0
5	李娜		2	4	1.0	2.0
8	应海涛		1	4	1.0	1.0
9	李小鹏		1	4	1.0	1.0